[实用新型]一种发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括衬底、n型掺杂氮化镓层、量子阱层、p型掺杂氮化镓层、电流扩散层、保护层、N电极和P电极，所述n型掺杂氮化镓层覆盖在所述衬底上，所述量子阱层覆盖在所述n型掺杂氮化镓层上，所述p型掺杂氮化镓层覆盖在所述量子阱层上，所述电流扩散层覆盖在所述p型掺杂氮化镓层上，在所述n型掺杂氮化镓层、所述量子阱层、所述p型掺杂氮化镓层和所述电流扩散层上刻蚀有一个台阶，所述台阶由所述n型掺杂氮化镓层的表面、所述电流扩散层的表面以及连接所述n型掺杂氮化镓层的表面和所述电流扩散层的表面的台阶面构成，所述电流扩散层的中部设有蚀孔，所述P电极安装在所述p型掺杂氮化镓层的表面上且伸出所述蚀孔，所述N电极安装在所述n型掺杂氮化镓层的表面上，所述保护层覆盖在所述台阶上，其特征在于，所述台阶面与所述n型掺杂氮化镓层的表面的夹角为135°～144°，所述保护层的厚度为600～1000埃。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离大于所述量子阱层与所述p型掺杂氮化镓层的厚度之和，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离小于所述n型掺杂氮化镓层、所述量子层和所述p型掺杂氮化镓层三层的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述n型掺杂氮化镓层的表面与所述p型掺杂氮化镓层的表面的距离为13000～15000埃。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述蚀孔为圆柱形，在所述蚀孔的内壁均匀分布有6个槽口。

5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述保护层为二氧化硅保护层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩散层为氧化铟锡电流扩散层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为1000～1500埃。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底。

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述量子阱层为铟镓氮层。

10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述量子阱层厚度为30埃。