[实用新型]一种可控硅保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及可控硅技术领域，更具体地说，特别涉及一种用于防止可控硅误触发的保护电路。

背景技术

可控硅是电力电子控制技术中的常用器件，多用于实现负载的控制，其具有运行可靠、方便等特点。可控硅在使用时均需要设置防止误触发的电路，以防止可控硅误触发而导致电路不能正常工作。在现有技术中，比如公开号为CN 202817725 U，公开日为2013年3月20日所公开的实用新型专利，公开号为CN 201234243 Y，公开日为2009年5月6日所公开的实用新型专利等。

故而，为了可控硅的正常使用，设计和研究一种可靠性高、构造简单的防止可控硅误触发的保护电路是本领域技术人员所研究的方向。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可靠性高、构造简单的用于防止可控硅误触发的可控硅保护电路。 

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种可控硅保护电路，包括具有初级绕组和次级绕组的变压器，与变压器的初级绕组连接的开关电路，与变压器的次级绕组连接的滤波电路，与滤波电路连接的光耦隔离电路，及双向可控硅，所述双向可控硅的控制极与光耦隔离电路的输出端连接。

优选地，所述开关电路包括第一三极管和第一电阻，所述第一三极管的集电极与变压器的初级绕组一端连接，其基极与第一电阻连接，其发射极以及变压器的初级绕组另一端连接于一输入电源的两端。

优选地，所述滤波电路包括滤波电容及稳压二极管，所述变压器的次级绕组一端还与一二极管的阳极连接，所述滤波电容连接于变压器的次级绕组另一端与二极管的阴极之间，所述稳压二极管与滤波电容并联。

优选地，所述光耦隔离电路包括光耦、第二电阻、第二三极管及上拉电阻，所述光耦的输入端阳极与滤波电路连接，其输入端阴极与第二三极管的集电极连接，其输出端集电极与双向可控硅的控制极连接，其输出端发射极接地；所述上拉电阻的一端连接有电源，另一端与光耦的输出端集电极连接；所述第二三极管的基极与第二电阻连接，其发射极接地。

优选地，所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型采用了开关电路控制变压器的工作，通过光耦隔离电路将滤波电路与双向可控硅隔离，再通过控制光耦隔离电路的通断以实现双向可控硅的可靠工作，避免了双向可控硅的误触发， 具有可靠性高、构造简单的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型所述可控硅保护电路的框架图。

图2是本实用新型所述可控硅保护电路的具体电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

实施例

参阅图1所示，本实施例提供的一种可控硅保护电路，包括具有初级绕组N0和次级绕组N1的变压器T1，与变压器T1的初级绕组N0连接的开关电路1，与变压器T1的次级绕组N1连接的滤波电路2，与滤波电路2连接的光耦隔离电路3，及双向可控硅TR1，其中，双向可控硅TR1的控制极与光耦隔离电路3的输出端连接。

本实施例中可控硅保护电路的基本原理为：采用开关电路1控制变压器T1工作，通过光耦隔离电路将滤波电路2与双向可控硅TR1隔离，再通过控制光耦隔离电路3的通断以实现双向可控硅TR1的可靠工作，避免了双向可控硅TR1的误触发，该可控硅保护电路具有可靠性高、构造简单等优点。

参阅图2所示，本实施例中的开关电路1包括第一三极管Q1和第一电阻R1，其中，第一三极管Q1的集电极与变压器T1的初级绕组N0一端连接，其基极与第一电阻R1连接，其发射极以及变压器T1的初级绕组N0另一端连接于一输入电源VIN的两端。

本实施例中的滤波电路2包括滤波电容C1及稳压二极管ZD1，其中，变压器T1的次级绕组N1一端还与一二极管D1的阳极连接，滤波电容C1连接于变压器T1的次级绕组N1另一端与二极管D1的阴极之间，稳压二极管ZD1与滤波电容C1并联。