[实用新型]一种可控硅保护电路

权利要求书

1.一种可控硅保护电路，其特征在于：包括具有初级绕组（N0）和次级绕组（N1）的变压器（T1），与变压器（T1）的初级绕组（N0）连接的开关电路（1），与变压器（T1）的次级绕组（N1）连接的滤波电路（2），与滤波电路（2）连接的光耦隔离电路（3），及双向可控硅（TR1），所述双向可控硅（TR1）的控制极与光耦隔离电路（3）的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的可控硅保护电路，其特征在于：所述开关电路（1）包括第一三极管（Q1）和第一电阻（R1），所述第一三极管（Q1）的集电极与变压器（T1）的初级绕组（N0）一端连接，其基极与第一电阻（R1）连接，其发射极以及变压器（T1）的初级绕组（N0）另一端连接于一输入电源（VIN）的两端。

3.根据权利要求2所述的可控硅保护电路，其特征在于：所述滤波电路（2）包括滤波电容（C1）及稳压二极管（ZD1），所述变压器（T1）的次级绕组（N1）一端还与一二极管（D1）的阳极连接，所述滤波电容（C1）连接于变压器（T1）的次级绕组（N1）另一端与二极管（D1）的阴极之间，所述稳压二极管（ZD1）与滤波电容（C1）并联。

4.根据权利要求2或3所述的可控硅保护电路，其特征在于：所述光耦隔离电路（3）包括光耦（U1）、第二电阻（R2）、第二三极管（Q2）及上拉电阻（R3），所述光耦（U1）的输入端阳极与滤波电路（2）连接，其输入端阴极与第二三极管（Q2）的集电极连接，其输出端集电极与双向可控硅（TR1）的控制极连接，其输出端发射极接地；所述上拉电阻（R3）的一端连接有电源（VCC），另一端与光耦（U1）的输出端集电极连接；所述第二三极管（Q2）的基极与第二电阻（R2）连接，其发射极接地。

5.根据权利要求4所述的可控硅保护电路，其特征在于：所述第一三极管（Q1）和第二三极管（Q2）均为NPN型三极管。