[实用新型]双振膜共用一磁回结构的喇叭

说明书

技术领域

本实用新型是有关一种喇叭结构，尤指一种双振膜共用一磁回结构，使得在相同的体积下，形成具有高、低音的双喇叭架构。

背景技术

在现有技术中，囿于物理上的限制，一个喇叭要发出高、中、低音域，且各音域表现都同时兼顾的，实际上是难以达成的。因为一个优质的高音喇叭，就不会是一个优质的低音喇叭，反之亦然。因此，实务上，通常会将喇叭依据其特性，设计为高音喇叭或低音喇叭，透过不同音域属性的喇叭结合，形成一个可兼顾各音域表现的喇叭系统。

图1所示是现有一种喇叭的结构示意图，大体上包括：一支架110；一磁回结构120，包括一导磁轭130及一磁铁单元140，其自设在该支架110上；一振膜150，设在该导磁轭130上方；一音圈160，其顶缘连接在该振膜150的底缘面，且对应设于该磁铁单元140的外周缘。

如前所述，由于一颗喇叭无法真实反应出各个音域，因此，为了让声音表现更加真实，思及如何在不增加喇叭体积的情况下，可以比现有技艺提供更多重的音域，为本实用新型所欲解决的课题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，其在相同的体积下，以内、外双振膜共用一磁回结构的结合方式，以形成双喇叭架构，具有营造更真实音域表现的功效；其与高音振膜共用一磁回结构的低音振膜，完全容置在一具有预定容积腔室的音箱内，以提升低音表现的功效。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种双振膜共用一磁回结构的喇叭，包括：一支架；一磁回结构，其包括一第一导磁轭，设在该支架上，以及至少一第一磁铁单元，设在该第一导磁轭上；一第一振膜，设在该磁回结构上方；一第一音圈，其顶缘连接在该第一振膜的底缘面，且对应设于该第一磁铁单元的外周缘；其特征在于：

该磁回结构下方相向对应于该第一振膜，还设有一第二振膜，且该第二振膜大于该第一振膜；一第二磁铁单元，设在该第一磁铁单元的外周缘；一第二音圈，其底缘连接在该第二振膜的上缘面，且位于该磁回结构中，该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中；以及一音箱，结合在该支架外周缘，并位于该磁回结构下方，其内形成一预定容积的腔室，供该第二振膜完全容置于该腔室之中；借此，使高音的该第一振膜位于该音箱外部，低音的该第二振膜位于该音箱内部，以内、外双振膜共用一磁回结构，以形成具有高、低音的双喇叭架构。

在一可行实施例中，该第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；该第二磁铁单元外周缘与一具有环形边的第二导磁轭的内环壁形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

承上，又一可行实施例中，该第一导磁轭呈一板体，该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上，其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间，该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘，且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙，供该第一音圈容置其中；且还于该第二磁铁单元的外侧环设一第三磁铁单元，该第二磁铁单元及第三磁铁单元上，设有一板形的第三导磁轭，且该第二磁铁单元外周缘与该第三磁铁单元内周缘形成一第二磁间隙，供该第二音圈容置其中。

依据前揭特征，在一可行实施例中，本实用新型第一振膜的中心部可设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

在另一可行实施例中，该第一振膜的中心部可设成向上凸状，及该第二振膜的中心部设成凹状。

又一可行实施例中，该第一振膜及该第二振膜的中心部可设成平状。

再一可行实施例中，该第一磁铁单元上还设有一第四导磁轭，该第一振膜的中心部可贴合于该第四导磁轭，形成左右两个半圆凸起状，及该第二振膜的中心部可设成向下凸状。

此外，在一可行实施例中，该磁回结构的中心部可呈中空状。该中空状包括一管状物所构成，该管状物上缘可与该第一振膜连接。

再者，上揭任一实施例中，该支架上可设有一个以上的气孔，及该音箱结构上可设有一个以上的小通孔。

进一步，上揭任一实施例中，该音箱内部可填塞有吸音材质。