[实用新型]双振膜共用一磁回结构的喇叭有效

专利信息
申请号: 201420387165.4 申请日: 2014-07-14
公开(公告)号: CN204119458U 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 李秉彧 申请(专利权)人: 富祐鸿科技股份有限公司
主分类号: H04R1/20 分类号: H04R1/20
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 代理人: 郑永康
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 双振膜 共用 一磁回 结构 喇叭
【权利要求书】:

1.一种双振膜共用一磁回结构的喇叭,包括:

一支架;

一磁回结构,其包括一第一导磁轭,设在该支架上,以及至少一第一磁铁单元,设在该第一导磁轭上;

一第一振膜,设在该磁回结构上方;

一第一音圈,其顶缘连接在该第一振膜的底缘面,且对应设于该第一磁铁单元的外周缘;

其特征在于:

该磁回结构下方相向对应于该第一振膜,还设有一第二振膜,且该第二振膜大于该第一振膜;

一第二磁铁单元,设在该第一磁铁单元的外周缘;

一第二音圈,其底缘连接在该第二振膜的上缘面,且位于该磁回结构中,该第二磁铁单元的外周缘所形成的磁间隙中;以及

一音箱,结合在该支架外周缘,并位于该磁回结构下方,其内形成一预定容积的腔室,供该第二振膜完全容置于该腔室之中;

借此,使高音的该第一振膜位于该音箱外部,低音的该第二振膜位于该音箱内部,以内、外双振膜共用一磁回结构,以形成具有高、低音的双喇叭架构。

2.根据权利要求1所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一导磁轭呈一板体,该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上,其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间,该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘,且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙,供该第一音圈容置其中;该第二磁铁单元外周缘与一具有环边形的第二导磁轭的内环壁形成一第二磁间隙,供该第二音圈容置其中。

3.根据权利要求1所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一导磁轭呈一板体,该第一及第二磁铁单元皆设在该第一导磁轭上,其中该第一磁铁单元设在该第一导磁轭中间,该第二磁铁单元环设在该第一磁铁单元的外周缘,且该第一磁铁单元外周缘与该第二磁铁单元内周缘形成一第一磁间隙,供该第一音圈容置其中;且还于该第二磁铁单元的外侧环设一第三磁铁单元,该第二磁铁单元及第三磁铁单元上,设有一板形的第三导磁轭,且该第二磁铁单元外周缘与该第三磁铁单元内周缘形成一第二磁间隙,供该第二音圈容置其中。

4.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一振膜的中心部设成向上凸状,及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

5.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一振膜的中心部设成向上凸状,及该第二振膜的中心部设成向上凹状。

6.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一振膜及该第二振膜的中心部设成平状。

7.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述第一磁铁单元上还设有一第四导磁轭,该第一振膜的中心部是贴合于该第四导磁轭,形成左右两个半圆凸起状,及该第二振膜的中心部设成向下凸状。

8.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述磁回结构的中心部呈中空状。

9.根据权利要求8所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述中空状由一管状物所构成,该管状物上缘与该第一振膜连接。

10.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述支架上还设有一个以上的气孔,及该音箱结构上还设有一个以上的小通孔。

11.根据权利要求2或3所述的双振膜共用一磁回结构的喇叭,其特征在于,所述音箱内部填塞有吸音材质。

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