[实用新型]高散热性的发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构，尤其涉及一种高散热性的发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种藉由电子与电洞结合而发出单色光的半导体发光元件，其所发出的光线的波长与颜色跟其所采用的半导体物料种类及所掺入的元素杂质有关，例如，采用砷化镓(GaAs)的发光二极管只能发出红外线或红光。

与传统所使用的灯泡与日光灯相比，发光二极管的发光效率较佳、寿命较长、不易破损以及可靠性高等优点，因此发光二极管也逐渐取代传统灯泡，成为照明发光，甚至显示器背光板的发光源主流。

但是，发光二极管在使用上亦面临一些待突破的问题。发光二极管电能转换成光能的能量转换效率，会受高温环境的影响而急遽下降，不仅浪费电力，发光二极管本身亦会产生更多的热而使温度进一步上升，进而造成恶性循环，使得发光二极管的寿命下降。再者，发光二极管额定的反向击穿电压值一般比较低，因此加上些许反向电压就可能造成发光二极管的损坏，因此，为了解决这个问题，一般会将发光二极管与稳压器电性连接，藉此防止发光二极管受损。

目前最常使用的稳压器为齐纳二极管，利用齐纳二极管的特性，以发光二极管与齐纳二极管进行串联，可防止发光二极管遭受反向电压时造成受损。

中国台湾专利公告第I427817号揭示了一种发光二极管封装结构及其制作方法，其包含一具有一安装孔的上基板、一设置于该安装孔内且具有至少一对通孔的发光二极管、一与该上基板连接的下基板、多个设置于该第一基板与该第二基板之间的第一电极以及多个设置于该第一基板与对应的该电极之间的齐纳二极管，该些齐纳二极管是利用掺杂的方式设置于该第一基板上，藉此排除齐纳二极管设置时所会造成的形状上的限制；并且利用于该通孔内填充导电物质的方式，增加发光二极管的散热性。

虽然在此案中解决了齐纳二极管在设置上的限制，并提升发光二极管的散热性，惟此案必须藉由两个基板才能完成制备，繁复的制备过程以及较为复杂的结构仍会造成制作成本的上升。

实用新型内容

本实用新型主要目的，在于提升发光二极管封装结构的散热性。

本实用新型另一目的，在于降低发光二极管封装所需成本。

为达上述目的，本实用新型提供一种高散热性的发光二极管封装结构，其包含：

一P型基板，该P型基板包含一N型掺杂区，以及一形成于该N型掺杂区并贯通该P型基板的第一通孔，该N型掺杂区与该P型基板之间形成一齐纳二极管；

一固定设置于该P型基板一侧并覆盖该第一通孔的发光二极管，该发光二极管包含一对应该第一通孔的正极以及一与该P型基板电性连接的负极；以及

一设置于该第一通孔内缘且与该发光二极管的正极电性连接的第一导电层。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中该第一导电层的材料选自于镍、钛、金或铝。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中更包含一填充于该第一通孔中的第一导热填充层。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中该第一导热填充层的材料选自于铜、银或铝。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中更包含一第二导电层，而该P型基板更包含一对应该发光二极管的负极的第二通孔，该第二导电层设置于该第二通孔的内缘且与该负极电性连接。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中该第二导电层的材料选自于镍、钛、金或铝。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中更包含一填充于该第二通孔中的第二导热填充层。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中该第二导热填充层的材料选自于铜、银或铝。

上述的高散热性的发光二极管封装结构，其中更包含一设置于该P型基板与该发光二极管之间的反射层以及一设置于该反射层以及该发光二极管之间的贴附层。

综上所述，本实用新型具有下列特点：

一、由于直接于该P型基板上掺杂形成该N型掺杂区，藉此直接于该P型基板上形成用以稳压的该齐纳二极管，直接藉由该P型基板进行散热，进而提升该发光二极管封装结构的散热性。

二、该发光二极管的正极直接与设置于该第一通孔内的第一导电层电性连接，使该发光二极管可直接藉由该第一通孔进行散热，进而提升该发光二极管封装结构的散热性。

三、藉由该发光二极管固定设置于该P型基板上，可进一步降低制成时所需的成本。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。