[实用新型]高散热性的发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201420379732.1 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN204067419U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张傑忠;刘秉承 | 申请（专利权）人： | 一宝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，包含：
一P型基板，该P型基板包含一N型掺杂区，以及一形成于该N型掺杂区并贯通该P型基板的第一通孔，该N型掺杂区与该P型基板之间形成一齐纳二极管；
一固定设置于该P型基板一侧并覆盖该第一通孔的发光二极管，该发光二极管包含一对应该第一通孔的正极以及一与该P型基板电性连接的负极；以及
一设置于该第一通孔内缘且与该发光二极管的正极电性连接的第一导电层。
2.根据权利要求1所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一导电层的材料选自于镍、钛、金或铝。
3.根据权利要求1所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含一填充于该第一通孔中的第一导热填充层。
4.根据权利要求3所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一导热填充层的材料选自于铜、银或铝。
5.根据权利要求1所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含一第二导电层，而该P型基板更包含一对应该发光二极管的负极的第二通孔，该第二导电层设置于该第二通孔的内缘且与该负极电性连接。
6.根据权利要求5所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，该第二导电层的材料选自于镍、钛、金或铝。
7.根据权利要求5所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含一填充于该第二通孔中的第二导热填充层。
8.根据权利要求7所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，该第二导热填充层的材料选自于铜、银或铝。
9.根据权利要求1所述的高散热性的发光二极管封装结构，其特征在于，更包含一设置于该P型基板与该发光二极管之间的反射层以及一设置于该反射层以及该发光二极管之间的贴附层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于一宝科技股份有限公司，未经一宝科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420379732.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
