[实用新型]LED 芯片及包含其的发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及包含其的发光二极管。

背景技术

随着第三代半导体技术的蓬勃发展，半导体照明以节能、环保、亮度高、寿命长等优点，成为社会发展的焦点，也带动了整个行业上中下游产业的方兴未艾。GaN基LED芯片是半导体照明的“动力”，近年来性能得到大幅提升，生产成本也不断降低，为半导体照明走进千家万户做出突出贡献。

近年来提出了减薄透明导电层，并使用溅射(sputter)机台，反应等离子沉积(RPD)机台等设备制作透明导电层，实现提升LED芯片发光效率的目的。目前溅射机台，RPD蒸镀机台等设备制作的透明导电层与金属电极之间的粘附力偏低，容易出现金属电极脱落的问题。

目前，还没有很好方法的解决溅射ITO或RPD蒸镀ITO与金属电极粘附力问题，出现金属电极脱落都是进行返工处理，重新制作ITO层与金属电极。因此，仍需要对现有技术进行改进，以减少金属电极的容易脱落的问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种LED芯片及包含其的发光二极管，以改善现有技术中LED发光二极管中电极容易脱落的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的一个方面，提供了一种LED芯片，包括外延层和设置在外延层上的透明导电层，以及设置在透明导电层上的电极，部分电极穿透透明导电层与外延层相连。

进一步地，上述透明导电层中设有多个通孔，电极上设有多个凸出部，其中，一个凸出部对应地插入一个通孔与外延层相连。

进一步地，上述LED芯片包括设置在外延层上的焊盘以及以焊盘为端点向外延伸的多条电极。

进一步地，各条电极下方的透明导电层中均设置通孔。

进一步地，各条电极下方的透明导电层中均设有一个通孔组，且每个通孔组沿其上方的电极的延伸方向依次排布有多个通孔。

进一步地，在每个通孔组中相邻两个通孔之间的距离为5～50μm。

进一步地，各通孔沿垂直于电极延伸方向的最大宽度大于其上方的电极的宽度。

进一步地，通孔为圆形、方形、矩形、菱形、椭圆形、三角形、平行四边形、梯形或六边形。

进一步地，上述外延层为GaN基外延层，上述透明导电层的材料为氧化铟锡。

根据本实用新型的另一方面，提供了一种发光二极管，由上述任一种LED芯片制作而成。

应用本实用新型的技术方案，通过将部分电极穿透透明导电层与外延层相连，使部分电极与外延层之间的粘附力增强，从而减少了金属电极从透明导电层上脱落的几率；而且利于部分电极与外延层之间形成肖特基接触，即起到电流阻挡层的作用，便于电流扩散到透明导电层区域，从而提高LED芯片的亮度。本实用新型这种结构的LED芯片制作工艺简单，成本低廉，技术成熟，能够在不增加成本的同时提高亮度，并提高产品的可靠性，适合批量生产。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本实用新型一种典型实施例的剖面示意图；以及

图2是本实用新型一种优选实施例的俯视图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

为了改善背景技术部分所提到的现有技术中金属电极容易脱落的问题，本实用新型提供了一种LED芯片，如图1所示，包括外延层1和设置在外延层1上的透明导电层2，以及设置在透明导电层2上的电极3，部分电极3穿过透明导电层2与外延层1相连。

本实用新型的上述LED芯片，通过将部分电极3穿透透明导电层2与外延层1相连，使部分电极3与外延层1之间的粘附力增强，从而减少了金属电极3从透明导电层2上脱落的几率；而且利于部分电极3与外延层1之间形成肖特基接触，即起到电流阻挡层的作用，便于电流扩散到透明导电层2区域，从而提高LED芯片的亮度。本实用新型这种结构的LED芯片制作工艺简单，成本低廉，技术成熟，能够在不增加成本同时提高亮度，进而提高产品的可靠性，适合批量生产。