[实用新型]一种基于LTCC的S波段多芯片接收组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种多芯片接收组件，尤其涉及一种基于LTCC的S波段多芯片接收组件。

背景技术

接收组件的任务是将天线送来的射频信号下变频到中频，要求组件具有较高的灵敏度和频率稳定度。一般来说，接收组件的体系结构主要有超外差式，零中频式，双中频式和低中频式。超外差式体系结构主要具有如下优点：(1)通过合理地选择中频和滤波器，可以提高系统的选择性和灵敏度；(2)通过合理地分配增益，可以改善系统的稳定度，减小杂波干扰；(3)可以实现较低固定中频的数模转换。因此，这类型的体系结构被认为是可靠的接收组件拓扑结构。

随着单片微波集成电路(MMIC)、收/发组件在民用、军用雷达和通讯系统中的广泛应用，迫切需要采用重量轻、体积小、成本低和可靠性高的微波多芯片组件(MMCM)技术。现有的PCB组装技术已远远不能满足要求，主要表现在：(1)双层PCB板满足不了组件小型化的要求；(2)多层PCB板的盲孔、层压工艺对于微波信号会引入较大寄生参数，且多层PCB板的盲孔工艺不够灵活，通常是从顶层过孔到中间某一层，不能实现中间某一层到中间另一层的连接；(3)多层PCB板材料的热膨胀系数与GaAs芯片的热膨胀系数相差较大，GaAs芯片不能直接粘接在PCB板上，所以通常需将GaAs芯片封装后再烧结在PCB基板上，GaAs芯片封装后体积自然增大。而LTCC材料的热膨胀系数和GaAs材料的热膨胀系数相近，芯片可直接粘结在LTCC基板上，通过金丝铝丝的键合实现信号的传输。

低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现MMCM的一种理想的组装技术，它提供了比传统的厚膜、薄膜技术更加灵活的设计方法，可实现信号从顶层和中间层、中间层之间的任意传输。即可以很方便地将GaAs芯片、微波传输线、逻辑控制线和电源线等组合在同一个LTCC三维微波传输结构中。

如何提供一种基于体积小，集成度高，可靠性好的基于LTCC的S波段多芯片接收组件是本技术领域一直渴望解决的问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题就是如何提供一种体积小，集成度高，可靠性好的基于LTCC的S波段多芯片接收组件

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，包括低噪声放大器，所述低噪声放大器将小信号进行低噪声放大后输入到频带可调滤波器；

频带可调滤波器将选择出的频率输入第一级增益放大器；

第一级增益放大器将选择出的频率进行放大后，输入到第二级增益放大器进一步放大；

第二级增益放大器将进一步放大后的频率输出给解调器；

解调器接收放大后的频率，并与频率综合器连接，将接收到的信号解调出来，将调解后的信号输入RF变压器；

RF变压器与频率合成器连接，生成中频信号，并输入滤波器；

滤波器接收频率合成器输出的信号，滤除信号以外的杂散后，将信号输出到第三级增益放大器；

第三级增益放大器与第四级增益放大器通过衰减器连接；

所述基于LTCC的S波段多芯片接收组件采用LTCC多层互连基板，所述LTCC多层互连基板为三维微波传输结构，采用叠层通孔实现微波垂直互联，表面印刷传输线实现平面互联；

所述基于LTCC的S波段多芯片接收组件还包括砷化镓的MMIC芯片，通过环氧导电胶粘接的方法将MMIC芯片粘接到LTCC多层互连基板上；

所述MMIC芯片采用金丝键合的方法实现互连；

所述LTCC多层互连基板为11层LTCC生瓷胚体烧结而成，其中射频信号线与逻辑控制线分开设计，分布在基板的两面；逻辑控制线和电源线分布在基板的同一面；中间层设置大面积金属地层，在保证了接地良好的情况下增强了信号之间的隔离。

优选地，所述LTCC多层互连基板焊接到AlSiC外壳中。

优选地，所述解调器为I/Q解调器。

优选地，所述LTCC多层互连基板为11层FERRO A6类型的LTCC生瓷胚体，每层LTCC生瓷胚体的厚度是127微米，所述LTCC多层互连基板厚度小于1.1mm。

优选地，所述金丝的拱高与跨距通过三维电磁仿真软件进行优化仿真，得出了最优的拱高与跨距。

优选地，所述AlSiC外壳的长*宽*高为40mm*40mm*10mm。

(三)有益效果