[实用新型]一种基于LTCC的S波段多芯片接收组件

权利要求书

1.一种基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，包括低噪声放大器，所述低噪声放大器将小信号进行低噪声放大后输入到频带可调滤波器；

频带可调滤波器将选择出的频率输入第一级增益放大器；

第一级增益放大器将选择出的频率进行放大后，输入到第二级增益放大器进一步放大；

第二级增益放大器将进一步放大后的频率输出给解调器；

解调器接收放大后的频率，并与频率综合器连接，将接收到的信号解调出来，将调解后的信号输入RF变压器；

RF变压器与频率合成器连接，生成中频信号，并输入滤波器；

滤波器接收频率合成器输出的信号，滤除信号以外的杂散后，将信号输出到第三级增益放大器；

第三级增益放大器与第四级增益放大器通过衰减器连接；

所述基于LTCC的S波段多芯片接收组件采用LTCC多层互连基板，所述LTCC多层互连基板为三维微波传输结构，采用叠层通孔实现微波垂直互联，表面印刷传输线实现平面互联；

所述基于LTCC的S波段多芯片接收组件还包括砷化镓的MMIC芯片，通过环氧导电胶粘接的方法将MMIC芯片粘接到LTCC多层互连基板上；

所述MMIC芯片采用金丝键合的方法实现互连；

所述LTCC多层互连基板为11层LTCC生瓷胚体烧结而成，其中射频信号线与逻辑控制线分开设计，分布在基板的两面；逻辑控制线和电源线分布在基板的同一面；中间层设置大面积金属地层，在保证了接地良好的情况下增强了信号之间的隔离。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，所述LTCC多层互连基板焊接到AlSiC外壳中。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，所述解调器为I/Q解调器。

4.根据权利要求1所述的基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，所述LTCC多层互连基板为11层FERRO A6类型的LTCC生瓷胚体，每层LTCC生瓷胚体的厚度是127微米，所述LTCC多层互连基板厚度小于1.1mm。

5.根据权利要求1所述的基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，所述金丝的拱高与跨距通过三维电磁仿真软件进行优化仿真，得出了最优的拱高与跨距。

6.根据权利要求2所述的基于LTCC的S波段多芯片接收组件，其特征在于，所述AlSiC外壳的长*宽*高为40mm*40mm*10mm。