[实用新型]一种圆片级芯片扇出封装结构

权利要求书

1.一种圆片级芯片扇出封装结构，包括：

 一硅基体（110），在该上表面设有下凹的浅硅腔体（111）；

 一介电层（120），覆盖在该硅基体（110）的上表面和浅硅腔体（111）的表面；

 一再布线层Ⅰ（131），选择性地设置于该介电层（120）的表面，并沿浅硅腔体（111）底部向上延伸至同侧的硅基体（110）的上表面；

 至少一待封装芯片（210），在该正面设置有若干个芯片表面金属凸点（220），并通过该芯片表面金属凸点（220）倒装至该浅硅腔体（111）内与再布线层Ⅰ（131）实现电气互连；

 至少一金属凸块（140），固定于该硅基体（110）的上表面的再布线层Ⅰ（131）的表面；

 一塑封体（150），塑封该待封装芯片（210）、该金属凸块（140）和该再布线层Ⅰ（131）所在的空间，并露出该金属凸块（140）的上表面；以及

 一再布线层Ⅱ（132），设置于该塑封体（150）的表面，并与该金属凸块（140）形成电气互连；

  一钝化层（160），覆盖在该再布线层Ⅱ（132）的表面，并选择性地设置若干个钝化层（160）开口，该钝化层（160）开口内设置焊锡球（170），与再布线层Ⅱ（132）实现电气互连。

2.如权利要求1所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述浅硅腔体（111）的深度为100微米到200微米。

3.如权利要求2所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述金属凸块（140）的上表面高于待封装芯片（210）的背面。

4.如权利要求3所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述金属凸块（140）的高度为50到100微米。

5.如权利要求4所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述金属凸块（140）的横截面呈圆形或多边形，且其边界尺寸大于80微米。

6.如权利要求1至5中任一项所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述金属凸块（140）呈阵列排布。

7.如权利要求1至5中任一项所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述金属凸块（140）和/或芯片表面金属凸点（220）的材质为铜。

8.如权利要求7所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述芯片表面金属凸点（220）的横截面呈圆形或多边形，且其边界尺寸大于60微米。

9.如权利要求8所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述芯片表面金属凸点（220）的高度为15微米到35微米。

10.如权利要求9所述的一种圆片级芯片扇出封装结构，其特征在于：所述芯片表面金属凸点（220）呈阵列排布。