[实用新型]一种制备旋转高纯硅靶的烧结炉有效
| 申请号: | 201420334821.4 | 申请日: | 2014-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN203947155U | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 胡习光;秦国强;常金永;张志祥 | 申请(专利权)人: | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
| 地址: | 214437 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 旋转 高纯 烧结炉 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种制备旋转高纯硅靶的烧结炉,属于机械设备技术领域。
背景技术
目前生产功能薄膜使用最广泛的方法是真空磁控溅射法。其原理是在高真空充入适量的氩气或反应气体,在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 的电压,在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电,使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面,将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间,便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。
应用于真空磁控溅射法生产高清显示屏的靶材主要是旋转高纯硅靶。这种靶材的特点是密度高(大于99.9%)、纯度高(99.995%)、溅射速率高。现有技术中,旋转高纯硅靶材都为等离子喷涂法生产,其密度低(约90%左右),含氧量高(4000PPM以上),电阻率高导致溅射速率低。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种制备旋转高纯硅靶的烧结炉。
本实用新型的技术方案,一种制备旋转高纯硅靶的烧结炉,包括炉盖,炉盖与中空的炉壳相连,炉壳内部设置石墨热屏障,炉壳与石墨热屏障之间设置耐高温岩棉;中空的炉壳内部设置有冷却水,炉壳一侧设置有第一进水管,另一侧设置第一出水管;
石墨热屏障内设置有环形的石墨发热体,石墨发热体内部设置耐高温垫块,耐高温垫块位于托盘上;托盘与自动升降装置相连;
炉壳中部一侧设置有进气管、第二进水管和抽真空出气管,另一侧设置炉门,炉壳上还设置有第二出水管;炉壳下端还设置炉腿。
炉盖上还设置热电偶,热电偶位于环形的石墨发热体形成的空腔内。所述石墨发热体设置于耐热砖块上,耐高温岩棉通过耐热砖块密封。
所述自动升降装置包括丝杆、丝杆套、第一齿轮、第二齿轮、第三齿轮、第四齿轮及调速电机;调速电机顶端安装第四齿轮,第四齿轮与第二齿轮啮合,起到一级减速作用,第二齿轮与第三齿轮同速旋转,第二齿轮与第三齿轮连为一体;第三齿轮与丝杆套的外圈第一齿轮啮合;起到第二级减速作用,丝杆套的旋转带动啮合在丝杆套内腔的丝杆作上下移动。
本实用新型的有益效果:本实用新型提供的烧结炉结构简单合理,各部件紧凑,适用于烧结旋转高纯硅靶,得到的产品密度高(大于99.9%)、纯度高(99.995%)、溅射速率高。
附图说明
图1是本实用新型烧结炉剖视图。
图2-a,工件a剖视图。
图2-b,工件b主视图。
图2-c,工件b俯视图。
图3,工件a和b的组装示意图。
图4,自动升降装置示意图。
附图标记说明:1、炉盖;2、炉壳;3、第一出水管;4、炉腿;5、热电偶;6、石墨发热体;7、耐高温垫块;8、托盘;9、第二出水管;10、自动升降装置;11、丝杆;10-1、丝杆套;10-2、第一齿轮;10-3、第二齿轮;10-4、第三齿轮;10-5、第四齿轮;10-6、调速电机;12、抽真空出气管;13、第二进水管;14、第一进水管;15、炉门;16、耐高温岩棉;17、石墨热屏障;18、进气管。
具体实施方式
以下实施例中的自动升降装置购自市场。
如图1和图4所示,制备旋转高纯硅靶的烧结炉,包括炉盖1,炉盖1与中空的炉壳2相连,炉壳2内部设置石墨热屏障17,炉壳2与石墨热屏障17之间设置耐高温岩棉16;中空的炉壳2内部设置有冷却水,炉壳2一侧设置有第一进水管14,另一侧设置第一出水管3;
石墨热屏障17内设置有环形的石墨发热体6,石墨发热体6内部设置耐高温垫块7,耐高温垫块7位于托盘8上;托盘8与自动升降装置10相连接。
炉壳2中部一侧设置有进气管18、第二进水管13和抽真空出气管12,另一侧设置炉门15,炉壳2上还设置有第二出水管9;炉壳2下端还设置炉腿4。
炉盖1上还设置热电偶5,热电偶5位于环形的石墨发热体6形成的空腔内。所述石墨发热体6设置于耐热砖块上,耐高温岩棉16通过耐热砖块密封。
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