[实用新型]研磨头及研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及点胶机产品技术领域，尤其涉及一种研磨头及研磨装置。

背景技术

随着半导体器件尺寸日益减小，由于多层互连或填充深度比较大的沉积过程导致了晶圆表面过大的起伏，引起光刻工艺聚焦的困难，使得对线宽的控制能力减弱，降低了整个晶圆上线宽的一致性，因此，业界引入了化学机械研磨(CMP)来平坦化晶圆表面，在半导体制作工艺进入亚微米(sub-micron)领域后，化学机械研磨已成为一项不可或缺的制作工艺技术。在化学机械研磨工艺中化学机械研磨装置成为了半导体工艺中重要的设备之一。

通常，半导体领域所使用的研磨装置包括研磨垫及设置于研磨垫上的研磨头。在对晶圆进行化学机械研磨时，研磨头吸附待研磨晶圆，并将晶圆的正面抵压在研磨垫上，配合研磨垫上喷撒的研磨液，由研磨头带动晶圆相对研磨垫旋转，完成对晶圆的研磨。请参考图1，其为现有技术中研磨头104的仰视图，所述研磨头104的底部设有方便研磨液流通的槽107，通过在研磨头104的底部设置的槽107，研磨液在研磨过程中流入和流出，提高研磨速率。

但是，在研磨过程中所产生的研磨残渣也会从研磨头104底部的方便研磨液流通的槽107排出去，由于研磨残渣的尺寸不同，容易沉积在槽107中，在后续对晶圆研磨过程中，槽107中沉积的研磨残渣会影响研磨液的流通，同时会不同程度的脱落，对晶圆造成损伤，降低了产品良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨头及研磨装置，以解决进行化学机械研磨过程中，应用现有技术中的研磨头，由于研磨头底部的槽容易沉积研磨残渣，造成研磨液流通不畅、晶圆出现损伤的现象，致使产品良率低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种研磨头及研磨装置，所述研磨头，包括：本体、设置于所述本体上的限位环；其中，所述限位环的底部设置有若干第一槽和若干第二槽；所述第一槽的分布方向与所述研磨头旋转的方向保持一致，所述第二槽的分布方向与所述研磨头旋转的方向相反。

可选的，在所述的研磨头中，所述第一槽和所述第二槽均匀分布于所述限位环底部。

可选的，在所述的研磨头中，所述第一槽的深度及宽度均大于所述第二槽的深度及宽度。

可选的，在所述的研磨头中，所述第一槽的深度为3.54mm～3.66mm；所述第一槽的宽度为3.27mm～3.36mm。

可选的，在所述的研磨头中，所述第二槽的深度为3.25mm～3.35mm；所述第二槽的宽度为3.18mm～3.21mm。

可选的，在所述的研磨头中，还包括设置于所述限位环内的吸附单元。

可选的，在所述的研磨头中，所述限位环为陶瓷环或不锈钢环。

本实用新型还提供一种研磨装置，所述研磨装置包括：研磨垫和设置于所述研磨垫上的研磨头；其中，所述研磨头包括：本体、设置于所述本体上的限位环；其中，所述限位环的底部设置有若干第一槽和若干第二槽；所述第一槽的分布方向与所述研磨头旋转的方向保持一致，所述第二槽的分布方向与所述研磨头旋转的方向相反。

可选的，在所述的研磨装置中，所述第一槽和所述第二槽均匀分布于所述限位环底部。

可选的，在所述的研磨装置中，所述第一槽的深度及宽度均大于所述第二槽的深度及宽度。

在本实用新型所提供的研磨头及研磨装置中，通过在所述限位环的底部设置若干第一槽和若干第二槽；第一槽的分布方向与研磨头旋转的方向保持一致，第二槽的分布方向与研磨头旋转的方向相反，在进行化学机械研磨时，研磨残渣大部分可由所述第一槽排出去，少部分由所述第二槽排出去，进而避免了所有研磨残渣均由方便研磨液流通的第二槽排出，容易沉积研磨残渣，造成研磨液流通不畅、晶圆出现损伤的现象，提高了产品良率。

附图说明

图1是现有技术中研磨头的仰视图；

图2是本实用新型一实施例中研磨头的仰视图；

图3是本实用新型一实施例中研磨头的剖面图；

图4是本实用新型一实施例中研磨装置的剖面图。

图1中：研磨头-104；槽-107；

图2-图4中：本体-211；限位环-210；第一槽-208；第二槽-207；研磨垫-213；晶圆-212；吸附单元-209。

具体实施方式