[实用新型]一种片式宽域氧传感器芯片

权利要求书

1.一种片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，包括由上至下依次层叠设置的第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片，其中，

所述第二层流延基片上设有扩散空腔，所述第四层流延基片上设有反应空腔，所述第三层流延基片上设有连通扩散空腔和反应空腔的扩散通道；

所述第三层流延基片的上表面设有容置于扩散空腔内的信号外泵电极，所述第三层流延基片的上表面还印制有覆盖在信号外泵电极上的保护层；

所述第四层流延基片上表面设有一凹槽，所述凹槽内设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层内设置有参比电极；

所述反应空腔内设有若干信号内泵电极，所述反应空腔内设有将信号内泵电极与扩散通道隔离的扩散障碍层；

所述第五层流延基片与第六层流延基片之间设有第二绝缘层，所述第二绝缘层内设有加热电极，所述加热电极通过电极引脚引到传感器的表面。

2.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述信号内泵电极分别对称设置在第三层流延基片的下表面和第五层流延基片的上表面。

3.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述扩散障碍层为带有气孔的蜂窝状结构。

4.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述第一层流延基片、第二层流延基片、第三层流延基片、第四层流延基片、第五层流延基片以及第六层流延基片的材质均为氧化锆。

5.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述信号外泵电极、信号内泵电极和参比电极的材质均为铂与氧化锆陶瓷形成的多孔材料。

6.如权利要求5所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述铂与氧化锆陶瓷的粉体的粒度都小于1um。

7.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述加热电极是由贵金属铂制成。

8.如权利要求7所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述铂的粒度小于0.5um。

9.如权利要求1所述的片式宽域氧传感器芯片，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材质为致密氧化铝质。