[实用新型]一种芯片电极引出的铜跳片

说明书

技术领域                       

本实用新型涉及铜片焊接工艺的大功率半导体模块的生产加工技术领域，特别涉及一种芯片电极引出的铜跳片。

背景技术

大功率半导体模块中芯片电极的引出主要有铝线键合及铜片焊接两种工艺。铝线键合机因价格昂贵，而且模块在使用中易出现部分铝线因键合或铝线质量不良熔断而引起模块失效的问题，因此在实际生产中，铜片焊接工艺仍然具有很大的市场占有率。

铜片焊接工艺长期以来一直存在因为铜的热膨胀系数与芯片所用硅的热膨胀系数相差较大而容易出现高温失效的问题。对于较大的芯片，为了降低芯片硅材料与铜之间热膨胀系数较大的问题，中间加入与硅的热膨胀系数相似的钼片进行过渡，这样便提高了可靠性，但增加了生产成本和制造难度。

故有必要对现有铜跳片的结构进行进一步地技术革新。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、使用方便的芯片电极引出的铜跳片。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型所述的一种芯片电极引出的铜跳片，包括芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片，芯片焊接片和引出端子焊接片通过连接片相连接；芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片一体模压成型而成；芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片均采用铜质材料制作而成。

进一步地，芯片焊接片由多条连接条组成，连接条的宽度、长度、间距及数量由芯片的大小决定。

采用上述结构后，本实用新型有益效果为：本实用新型所述的一种芯片电极引出的铜跳片，包括芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片，芯片焊接片和引出端子焊接片通过连接片相连接；芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片一体模压成型而成；芯片焊接片、连接片和引出端子焊接片均采用铜质材料制作而成。在使用本实用新型时，通过芯片焊接片与芯片焊接在一起，通过将芯片焊接片改为多条细的连接条，从而避免了大面积铜片与硅材料芯片在温度变化时热膨胀形变应力过大损毁芯片的问题；提高了焊接工艺大功率模块的可靠性；有效延长模块的使用寿命。本实用新型具有结构简单，设置合理，制作成本低等优点。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

附图标记说明：

1、芯片焊接片；1-1、连接条； 2、连接片； 3、引出端子焊接片。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

如图1所示，本实用新型所述的一种芯片电极引出的铜跳片，包括芯片焊接片1、连接片2和引出端子焊接片3，芯片焊接片1和引出端子焊接片3通过连接片2相连接；芯片焊接片1、连接片2和引出端子焊接片3一体模压成型而成；芯片焊接片1、连接片2和引出端子焊接片3均采用铜质材料制作而成。

芯片焊接片1的宽度大于或等于引出端子焊接片3的宽度；连接片2的宽度小于或等于引出端子焊接片3；芯片焊接片1由若干条连接条1-1组成。芯片焊接片1、连接片2、引出端子焊接片3和连接条1-1的宽度、长度、间距及数量要根据实际的连接芯片的尺寸来决定，所以在此不一一说明各个具体尺寸。

进一步地，芯片焊接片1由多条连接条1-1组成，连接条1-1的宽度、长度、间距及数量要根据实际的连接芯片的尺寸来决定，使由多条连接条1-1组成的芯片焊接片1的宽度、长度小于或等于与芯片的宽度、长度，这样即保证了芯片连接片1的导电能力，又可以通过较细的芯片连接片1将热膨胀形变应力降低到安全范围，保证芯片不会损坏，提高了焊接工艺大功率模块的可靠性，有效延长模块的使用寿命。另外，该结构简单、设计合理，制造成本低。

以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本实用新型专利申请范围内。