[实用新型]功率半导体器件

权利要求书

1. 一种功率半导体器件（200），其特征在于所述功率半导体器件包括：

第一导电类型的基底层（230），具有第二导电类型的下部半导体层（220）；

基底层（230）中的有源区，包括：

第二导电类型的本体区（250）；

第一导电类型的源极区（251），位于本体区中；

发射极电极，电连接到所述源极区；

从基底层（230）的顶部向下延伸的沟槽（276），内衬有沟槽电介质（274）并且含有屏蔽电极（277），所述屏蔽电极（277）电连接到所述发射极电极（290）；

第二导电类型的附加掺杂区（273），至少布置在所述沟槽电介质的一部分处；和

栅极（270），至少部分形成在至少一部分源极区和本体区上方并且与所述屏蔽电极（277）电绝缘。

2. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，附加掺杂区（273）布置在沟槽（276）的底部。

3. 如权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，附加掺杂区（273）围绕沟槽（276）的底部。

4. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于还包括：具有第一导电类型的第三掺杂区（472），围绕所述附加掺杂区（273）的底部。

5. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于进一步包括：第一导电类型的第一掺杂区（240），至少部分位于本体区之下且在至少部分基底层（230）之上并且其中所述沟槽（276）延伸到基底层中的深度比第一掺杂区（240）深。

6. 如权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂浓度是不均匀的并且所述第一掺杂区的最高掺杂浓度区域是在本体区下面。

7. 如权利要求5或6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述附加掺杂区（273）延伸到所述第一掺杂区（240）中。

8. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于进一步包括：第二导电类型的第二掺杂区（52），位于本体区（50）的顶部，与所述源极区（51）横向相邻或者不相邻，并且电连接到所述发射极电极。

9. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽（276）还包括栅极电极（378），所述栅极电极（378）与所述屏蔽电极（377）电绝缘并且与栅极（270）连接。

10. 如权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三掺杂区（472）具有与掺杂区（273）至少部分地共形的形状并且能够具有在横向上变化的轮廓。

11. 如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述发射极电极（290）嵌入到所述源极区中以形成沟槽接触（490）。

12. 如权利要求1-6，8-11中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为垂直型功率器件并且包括位于基底层底部且与下部半导体层（220）接触的集电极（210）。

13. 如权利要求1-6，8-11中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件还包括：具有第一导电类型的第四掺杂区，位于作为漂移区的基底层与作为集电极区的下部半导体层之间。