[实用新型]一种激光刻蚀装置及系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及激光刻蚀技术领域，特别是涉及一种激光刻蚀装置及系统。

背景技术

目前，用于对芯片的去层方法包括化学刻蚀法、等离子刻蚀法和机械研磨法。其中，最常用的是采用RIE反应离子刻蚀和湿法酸液腐蚀相结合的方法，通过光学显微镜或者能谱仪获得芯片的成分，根据键合区与周围区域的颜色和反光差异，获得各层材料的厚度，并根据芯片的成分对芯片进行相应的处理。但是，这种干法和湿法相结合的技术，RIE反应离子的条件比较高，处理过程比较耗时，且酸液腐蚀危害人体健康。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种激光刻蚀装置及系统，实现对芯片的待刻蚀层进行自动刻蚀，避免损害人体健康。

为解决以上技术问题，本实用新型实施例提供一种激光刻蚀装置，其包括：芯片；载物平台，用于承载芯片；光谱分析仪器，用于检测芯片的待刻蚀层信息；可调谐激光器，用于从光谱分析仪器获取待刻蚀层信息，并根据待刻蚀层信息对芯片的待刻蚀层进行刻蚀。

其中，可调谐激光器设置在一腔体内，该腔体用于屏蔽可调谐激光器。

其中，可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。

其中，待刻蚀层信息包括待刻蚀层的元素和物质成分。

其中，可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO₂激光器。

本实用新型还提供一种激光刻蚀系统，包括：芯片；载物平台，用于承载芯片；光谱分析仪器，用于检测芯片的待刻蚀层信息；工作台，用于从光谱分析仪器获取待刻蚀层信息，并根据待刻蚀层信息产生第一信息和第二信息；调节器，用于从工作台获取第一信息，并根据第一信息控制载物平台，以调节芯片的位置；可调谐激光器，用于从工作台获取第二信息，并根据第二信息对芯片的待刻蚀层进行刻蚀。

其中，可调谐激光器设置在一腔体内，该腔体用于屏蔽可调谐激光器。

其中，可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。

其中，待刻蚀层信息包括待刻蚀层的元素和物质成分。

其中，可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO₂激光器。

通过上述方案，本实用新型的有益效果是：区别于现有技术，本实用新型通过光谱分析仪器检测芯片的待刻蚀层信息，可调谐激光器根据待刻蚀层信息对芯片的待刻蚀层进行刻蚀，能够实现对芯片的待刻蚀层进行自动刻蚀，且不损伤同层其他材料或下层材料，避免损害人体健康。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例的激光刻蚀装置的结构示意图；

图2是本实用新型第二实施例的激光刻蚀系统的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1，图1是本实用新型第一实施例的激光刻蚀装置的结构示意图。如图1所示，该激光刻蚀装置1包括：芯片11、载物平台12、光谱分析仪器13、可调谐激光器14以及支架15。

在本实施例中，载物平台12用于承载芯片11，支架15用于承载光谱分析仪器13、可调谐激光器14及载物平台12。

在本实施例中，光谱分析仪器13通过物质的光谱鉴别物质及其化学组成和相对含量，即光谱分析仪器13鉴别芯片11的化学成分及相对含量，进而检测芯片11的待刻蚀层信息，待刻蚀层信息包括待刻蚀层的元素和物质成分。优选地，光谱分析仪器13为直读光谱仪或手持式光谱仪。

在本实施例中，可调谐激光器14通过根据不同材料对不同波长光的吸收，进而实现对多种材料的刻蚀和保留。其中，可调谐激光器14与光谱分析仪器13连接，以从光谱分析仪器13获取待刻蚀层信息，并根据待刻蚀层信息对芯片11的待刻蚀层进行刻蚀。即可调谐激光器14根据光谱分析仪器13反馈的待刻蚀层信息调节激光的波长、功率及焦距，进而实现对待刻蚀层进行刻蚀，且不损伤同层其他材料或下层材料。

可调谐激光器14还可以设置在一腔体(图未示)内，该腔体用于将可调谐激光器14的激光完全屏蔽，防止激光外射，从而避免激光对人体的伤害。

其中，可调谐激光器14包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO₂激光器。优选地，可调谐激光器14的调谐范围为0.4μm至10.6μm。

本实施例所揭示的激光刻蚀装置1通过光谱分析仪器13检测芯片11的待刻蚀层信息，可调谐激光器14根据待刻蚀层信息对芯片11的待刻蚀层进行刻蚀，能够实现对芯片11的待刻蚀层进行自动刻蚀，且不损伤同层其他材料或下层材料，避免损害人体健康。