[实用新型]一种激光刻蚀装置及系统有效
申请号: | 201420292077.6 | 申请日: | 2014-06-03 |
公开(公告)号: | CN203918235U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 李景涛;樊俊锋;王明东;朱凯;杨坤 | 申请(专利权)人: | 国民技术股份有限公司 |
主分类号: | B23K26/362 | 分类号: | B23K26/362 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 刻蚀 装置 系统 | ||
1.一种激光刻蚀装置,其特征在于,所述激光刻蚀装置包括:
芯片;
载物平台,用于承载所述芯片;
光谱分析仪器,用于检测所述芯片的待刻蚀层信息;
可调谐激光器,用于从所述光谱分析仪器获取所述待刻蚀层信息,并根据所述待刻蚀层信息对所述芯片的待刻蚀层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器设置在一腔体内,所述腔体用于屏蔽所述可调谐激光器。
3.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。
4.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述待刻蚀层信息包括所述待刻蚀层的元素和物质成分。
5.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO2激光器。
6.一种激光刻蚀系统,其特征在于,所述激光刻蚀系统包括:
芯片;
载物平台,用于承载所述芯片;
光谱分析仪器,用于检测所述芯片的待刻蚀层信息;
工作台,用于从所述光谱分析仪器获取所述待刻蚀层信息,并根据所述待刻蚀层信息产生第一信息和第二信息;
调节器,用于从所述工作台获取所述第一信息,并根据所述第一信息控制所述载物平台,以调节所述芯片的位置;
可调谐激光器,用于从所述工作台获取所述第二信息,并根据所述第二信息对所述芯片的待刻蚀层进行刻蚀。
7.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器设置在一腔体内,所述腔体用于屏蔽所述可调谐激光器。
8.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。
9.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述待刻蚀层信息包括所述待刻蚀层的元素和物质成分。
10.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO2激光器。
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