[实用新型]一种激光刻蚀装置及系统有效

专利信息
申请号: 201420292077.6 申请日: 2014-06-03
公开(公告)号: CN203918235U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 李景涛;樊俊锋;王明东;朱凯;杨坤 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: B23K26/362 分类号: B23K26/362
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 刻蚀 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种激光刻蚀装置,其特征在于,所述激光刻蚀装置包括:

芯片;

载物平台,用于承载所述芯片;

光谱分析仪器,用于检测所述芯片的待刻蚀层信息;

可调谐激光器,用于从所述光谱分析仪器获取所述待刻蚀层信息,并根据所述待刻蚀层信息对所述芯片的待刻蚀层进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器设置在一腔体内,所述腔体用于屏蔽所述可调谐激光器。

3.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。

4.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述待刻蚀层信息包括所述待刻蚀层的元素和物质成分。

5.根据权利要求1所述的激光刻蚀装置,其特征在于,所述可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO2激光器。

6.一种激光刻蚀系统,其特征在于,所述激光刻蚀系统包括:

芯片;

载物平台,用于承载所述芯片;

光谱分析仪器,用于检测所述芯片的待刻蚀层信息;

工作台,用于从所述光谱分析仪器获取所述待刻蚀层信息,并根据所述待刻蚀层信息产生第一信息和第二信息;

调节器,用于从所述工作台获取所述第一信息,并根据所述第一信息控制所述载物平台,以调节所述芯片的位置;

可调谐激光器,用于从所述工作台获取所述第二信息,并根据所述第二信息对所述芯片的待刻蚀层进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器设置在一腔体内,所述腔体用于屏蔽所述可调谐激光器。

8.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器的调谐范围为0.4μm至10.6μm。

9.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述待刻蚀层信息包括所述待刻蚀层的元素和物质成分。

10.根据权利要求6所述的激光刻蚀系统,其特征在于,所述可调谐激光器包括可调谐半导体激光器、钛宝石激光器、染料激光器或CO2激光器。

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