[实用新型]硅片提升到位检测机构

说明书

技术领域

本实用新型涉及用于检测硅片提升过程是否到位的机构，本实用新型尤其涉及硅片提升到位检测机构。

背景技术

在对太阳能硅片进行水下自动分片过程中，需要将成叠的硅片放置于承载夹具中并垂直向上提升至分片高度，这就要求通过传感器检测硅片上层是否提升到位。由于提升过程在水下进行，硅片为非金属材质且薄而易碎，传统利用传感器直接检测的方式检测效果不稳定。传统检测方式一般为：直接接触和光电感应方式，但是这两种技术均有缺陷，直接接触式，需要一个硬性机构接触到硅片，硅片运动带动这个机构移动，通过检测移动距离来检测硅片是否到位，这个硬性机构由于有运动阻力，在移动中有损伤硅片的风险。光电感应的形式，由于硅片表面有比较多的脏污，会直接影响感光强度，随着硅片表面状态不同，检测效果也不同，造成误判。

发明内容

本实用新型的目的在于克服已有技术的缺陷，提供一种检测效果稳定的硅片提升到位检测机构。

本实用新型的硅片提升到位检测机构，它包括金属接近传感器，在所述的金属接近传感器的正下方安装有感应环芯轴，待检测状态下感应环自然下垂悬挂在感应环芯轴上，所述的感应环包括塑料基体，在所述的基体外壁中间设置有环形凹槽，在所述的环形凹槽内固定有不锈钢环形感应体，在工作过程中被提升的硅片能够接触并顶升感应环使感应环进入金属接近传感器的监测范围内。

本机构的有益效果是：硅片接触的是一个自由状态的感应环，除去环的重力外，没有任何外力，对硅片表面的作用力最小，接触最简单，最轻柔，对硅片造成破损的隐患最小，同时感应环接触也没有误差，起到了既能准确检测，又能造成最低伤害风险。

附图说明

图1是待检测状态下的本实用新型的硅片提升到位检测机构的整体结构示意图；

图2是检测完成状态下的本实用新型的硅片提升到位检测机构的整体结构示意图；

图3-1是图1所示的机构中的感应环结构示意图；

图3-2是图3-1所示的感应环的A-A向示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

本实用新型是利用金属接近传感器和感应环组成的间接检测硅片提升到位信号的硅片提升到位检测机构。

如图1所示是硅片提升到位检测机构的整体结构示意图，它包括金属接近传感器4，在所述的金属接近传感器的正下方安装有感应环芯轴3，待检测状态下感应环2自然下垂悬挂在感应环芯轴上，所述的感应环2包括塑料基体5，在所述的基体5外壁中间设置有环形凹槽，在所述的环形凹槽内固定有不锈钢环形感应体，待检测硅片1设置在感应环下方，在工作过程中被提升的硅片能够接触并顶升感应环使感应环到金属接近传感器的监测范围C内。待检测状态下感应环在重力作用下自然下垂悬挂在感应环芯轴上，工作过程中被提升的硅片接触并顶升感应环，当感应环升至金属接近传感器的检测范围之内时传感器输出信号，判明硅片提升到位。

优选的为防止感应环挤压金属接近传感器，在安装和尺寸设计时保证感应环上升距离(可活动范围)A小于(缓冲范围B和检测范围C之和)。

优选的环形感应体的厚度小于环形凹槽深度以使塑料材质的基体5与待检测硅片1直接接触。

如图1所示感应环在重力作用下悬挂在感应芯轴上并位于金属接近传感器的检测范围C之外，此时传感器无信号输出。

如图2所示是显示检测完成状态示意图，该图显示检测完成状态下各部件位置。如图所示感应环在下方被提升硅片的顶推作用下上升并进入金属接近传感器的检测范围C之内，此时传感器输出信号，判明硅片提升到位。

图3-1和3-2所示是感应环结构示意图,如图所示感应环由不伤害硅片的塑料材质的基体5和不锈钢材质的感应体6组成，检测过程中感应体6可被金属接近传感器4感知。检测过程中感应体可被金属接近传感器4感知并且不与硅片接触，避免不锈钢材质损伤硅片。感应环整体结构为圆环形，可绕感应环芯轴转动，因此不会与运动的硅片摩擦，其质轻，不会压伤硅片。

本机构的动作过程如下：

如图1所示：待检测状态下感应环在重力作用下悬挂在感应芯轴上并位于金属接近传感器的检测范围C之外，此时传感器无信号输出。为防止金属接近传感器误判信号设置缓冲范围B，为防止感应环挤压传感器在安装和尺寸设计时保证可活动范围A小于缓冲范围B和测范围C之和。

运动过程中硅片被向上提升，当接触感应环后继续向上运动并顶升感应环，当感应环被顶升进入金属接近传感器的检测范围C之内，此时传感器输出信号，判明硅片提升到位。检测过程完成。