[实用新型]硅片提升到位检测机构有效
| 申请号： | 201420292067.2 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN203882969U | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘海珊;孙红喆;王维熙 | 申请（专利权）人： | 天津源天晟科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽英 |
| 地址： | 300457 天津市塘沽区天津经济技术*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 提升 到位 检测 机构 | ||
【权利要求书】：
1.硅片提升到位检测机构，其特征在于：它包括金属接近传感器，在所述的金属接近传感器的正下方安装有感应环芯轴，待检测状态下感应环自然下垂悬挂在感应环芯轴上，所述的感应环包括塑料基体，在所述的基体外壁中间设置有环形凹槽，在所述的环形凹槽内固定有不锈钢环形感应体，在工作过程中被提升的硅片能够接触并顶升感应环使感应环进入金属接近传感器的监测范围内。
2.根据权利要求1所述的硅片提升到位检测机构，其特征在于：环形感应体的厚度小于环形凹槽深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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