[实用新型]一种光罩标准片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种光罩标准。

背景技术

光刻处理用于在晶片上形成半导体器件的电路图案。在光刻处理中，使用带有要转移到晶片上的图案的光罩。光罩包括透明基板、透明基板上的铬(Cr)的遮光层或者半色调相移层。沉积光刻胶层，并且利用电子束写入设备用于电子束曝光，在这之后进行系那英并且形成光刻胶图案，还光刻胶图案用作蚀刻掩模以选择性刻蚀光罩层来形成电路图案。为了检查是否已经精确和复合规范地电路图案，要进行光罩缺陷检查。

在光罩的制作工艺流程中，对缺陷的控制相当严格，这对缺陷的检测提出了很高的要求，通常一片相移光罩(PSM)在整个制作工艺中药经过3～5次缺陷检查。

一般，如图1所示，光罩缺陷通常分为两大类：硬缺陷(Hard defect)和软缺陷(Soft defect)。硬缺陷指的是光罩图案中的桥连(bridge)、断裂(break)、针孔(pinhole)、针点(pindot)突起(protrusion)、凹陷(intrusion)等等；软缺陷指的是颗粒(particle)或污染物(contamination)等等。

由于这两类缺陷的物理光学特性差异比较明显，因此采用的检测方式也会不同。对于硬缺陷，通常采用实际光罩图形和数据库图形对比(die to detabase)的方式来检测。对于软缺陷，通常采用穿透光和反射光丢架对比来检测。在进行软缺陷的检测时，需要先制作一个光罩标准片。

现有技术中，制作标准片的方法通常为：将聚苯乙烯颗粒(Polystyrene，PSL)溶解在水中，然后在包含各种复杂电路图形的目标光罩上倾洒该混合液，待水分蒸发后PSL残留在目标光罩1A表面，形成固定的模拟缺陷3A，用于模拟真实光罩上的缺陷，该形成有模拟缺陷3A的光罩1A供机台作为标准片使用，形成的模拟缺陷3A如图2和图3所示。但是这种方式制作的模拟缺陷3A的尺寸较难控制，通常需要专业的公司制作，价格昂贵。另外，当光罩标准片使用时间过长时，会产生haze，比如硫酸铵结晶，干扰检测结构。再有，PSL易被氧化，一旦进入酸槽用酸清洗，PSL就会随之溶解，使光罩无法再用作标准片。通常几年就需要更换，寿命短、成本高。

因此，提供一种改进的光罩标准片是本领域技术人员需要解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种光罩标准片，用于解决现有技术中光罩标准片的模拟缺陷尺寸难控制、易溶解和氧化，从而导致光罩标准片寿命短的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种光罩标准片光罩标准片，用于检测产品光罩上是否存在缺陷，其特征在于，所述光罩标准片至少包括以下结构：

光罩本体；

形成于所述光罩本体表面的至少一个模拟缺陷，所述模拟缺陷为硅倍半氧烷；

氧化形成于所述模拟缺陷表面的二氧化硅层。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，所述模拟缺陷的尺寸范围为0.05～0.5μm。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，形成在所述模拟缺陷的表面的二氧化硅厚度为5～20nm。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，所述光罩本体包括透明基板、依次制作在透明基板上形成电路图案的相移层和遮光层。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，所述透明基板为玻璃基板。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，所述相移层为MoSi。

作为本实用新型的光罩标准片的一种优化的结构，所述遮光层为Cr层。

如上所述，本实用新型的光罩标准片，包括以下结构：光罩本体；形成于所述光罩本体表面的至少一个模拟缺陷，所述模拟缺陷为硅倍半氧烷；氧化形成于所述模拟缺陷表面的二氧化硅层。本实用新型的光罩标准片，利用硅倍半氧烷的光刻胶特性，通过曝光显影在光罩本体上制作硅倍半氧烷模拟缺陷，该模拟缺陷可以稳固地粘附于光罩本体上，并且模拟缺陷表面的二氧化硅层可以起到保护作用，确保标准片承受住酸清洗，延长标准片的使用寿命，降低制造成本。

附图说明

图1为光罩上常有的缺陷结构示意图。

图2为现有技术制作的光罩标准片的俯视图。

图3为现有技术制作的光罩标准片的剖视图。

图4为本实用新型光罩标准片的光罩本体结构示意图。

图5为本实用新型光罩标准片的制作方法中在光罩本体上涂敷硅倍半氧烷的示意图。