[实用新型]一种光罩标准片有效
| 申请号： | 201420287338.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN203858449U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 张士健;胡华勇;刘洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 标准 | ||
【权利要求书】：
1.一种光罩标准片，用于检测产品光罩上是否存在缺陷，其特征在于，所述光罩标准片至少包括以下结构：
光罩本体；
形成于所述光罩本体表面的至少一个模拟缺陷，所述模拟缺陷为硅倍半氧烷；
氧化形成于所述模拟缺陷表面的二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的光罩标准片，其特征在于：所述模拟缺陷的尺寸范围为0.05～0.5μm。
3.根据权利要求1所述的光罩标准片，其特征在于：形成在所述模拟缺陷的表面的二氧化硅厚度为5～20nm。
4.根据权利要求1所述的光罩标准片，其特征在于：所述光罩本体包括透明基板、依次制作在透明基板上形成电路图案的相移层和遮光层。
5.根据权利要求4所述的光罩标准片，其特征在于：所述透明基板为玻璃基板。
6.根据权利要求4所述的光罩标准片，其特征在于：所述相移层为MoSi。
7.根据权利要求4所述的光罩标准片，其特征在于：所述遮光层为Cr层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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