[实用新型]一种新型低电压分频器

权利要求书

1.一种新型低电压分频器，其特征在于，包括并行设置、且相互连接的第一锁存器和第二锁存器，所述第一锁存器的结构和第二锁存器的结构相同；

所述第一锁存器的第一输出端QN和第一锁存器的第二输出端QP，分别直接连接到第二锁存器的输入端；所述第二锁存器的第一输出端IN和第二锁存器的第二输出端IP，交叉耦合到第一锁存器的输入端。

2.根据权利要求1所述的新型低电压分频器，其特征在于，每个锁存器包括采样差分对管、锁存交叉耦合对管、带时钟控制管的负载模块；时钟控制管并接在锁存器的输出端；

第一锁存器的采样差分对管的源极与第二锁存器的锁存交叉耦合对管的源极连接在一起，并连接输入时钟信号CP经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极；

第二锁存器的采样差分对管的源极与第一锁存器的锁存交叉耦合对管的源极连接在一起，并连接输入时钟信号CN经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极；

每个锁存器输出信号与其采样对管栅极所接入的输入信号的频率相同，都为输入的时钟信号频率的一半。

3.根据权利要求2所述的新型低电压分频器，其特征在于，每个锁存器的采样差分对管包括由FET场效应管M1和FET场效应管M2，FET场效应管M1的漏极和FET场效应管M2的漏极分别连接到该锁存器的两个输出端，FET场效应管M1的源极和FET场效应管M2的源极接在一起，连接到输入时钟信号CP经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极；

和/或，

每个锁存器的交叉耦合锁存对管包括FET场效应管M3和FET场效应管M4，FET场效应管M3的漏极和FET场效应管M4的漏极分别连接到该锁存器的两个输出端，FET场效应管M3的源极和FET场效应管M4的源极连接在一起，连接到连接到输入时钟信号CN经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极；FET场效应管M3的栅极和FET场效应管M4的栅极分别交叉连接到该锁存器的两个输出端；

和/或，

每个锁存器的负载模块包括FET场效应管MP1、FET场效应管MP2及时钟控制管MC，时钟控制管MC为FET场效应管；

FET场效应管MP1的漏极和和FET场效应管MP2的漏极分别连接到该锁存器的两个输出端；FET场效应管MP1的源极和和FET场效应管MP2的源极相连接电源Vdd；FET场效应管MP1的栅极和和FET场效应管MP2的栅极相连接一偏置电位Vb。

4.根据权利要求2所述的新型低电压分频器，其特征在于，每个锁存器的负载模块包括阻型器件Z1和阻型器件Z2及时钟控制管MC组成，阻型器件为电阻或电感、或由电阻和电感组合的阻型器件，时钟控制管MC为FET场效应管；

阻型器件Z1和阻型器件Z2的一端并联接电源Vdd，另一端连接时钟控制管MC的漏极和源极的其中一极；时钟控制管MC的漏极和源极分别连接到锁存器两个输出端的其中一个端口，其栅极连接到连接到输入时钟信号CP或CN经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极，如第一锁存器的时钟控制管MC的栅极接输入时钟信号CN经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极，第二锁存器的时钟控制管MC的栅极接输入时钟信号CP经过隔直电容之后的信号和伪电流源的漏极。