[实用新型]一种纳米金属线导电薄膜

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种导电薄膜，尤其涉及一种纳米金属线导电薄膜。 

背景技术

导线架是封装的三大原料导线架、金线、封装胶中最重要的一种原料。集成电路中除了极少数的简单功能芯片直接封装外，每一个集成电路的每一片芯片都必须有一导线架配合，以组合成一个完整可使用的集成电路。导线架依功能可分为单体导线架和集成电路导线架，单体导线架中又含支持晶体管、二极管和发光二极管等产品；集成电路导线架则用于半导体封装，作为芯片及印刷电路板线路连接之媒介，不同集成电路采用不同的封装方式，所用的导线架亦不同。 

目前IC制程已达到28纳米，在未来更会突破至16纳米，而其中的电子传输导管极其重要，目前使用的铝溅镀、铜制程都受限于线距线宽无法突破降至200纳米，而且需要经过繁琐的制程程序，如:溅镀、曝光、蚀刻、离子清洗等。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种对电极耳和电池芯进行定位焊接的锂离子电池极耳点焊定位夹具。 

本实用新型的技术方案如下： 

一种纳米金属线导电薄膜，包括：基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架，所述IC晶片固设于所述导线架上，所述封装件包覆所述IC晶片，所述基座开设有一凹型腔，所述凹型腔具有一开口端，所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部，所述导线架及与所述导线架相连接的内脚及外脚形成一容置空间，散热器设置于容置空间内。 

所述散热器包括与所述导线架的内脚连接的绝缘导热层和与所述绝缘导热层连接的散热片。 

所述基座为塑胶件，所述导线架为金属件，所述基座与导线架一体成型。 

所述导线架为铜箔或铁箔所制。 

本实用新型的有益效果：本实用新型使用的纳米银金属线使用合成工艺可以控制金属线直径，从400奈米到15奈米等长度可以控制在1um-30um，而银的导电性又是所有金属中最好的，.本工艺使用多元醇合成法直接合成出奈米级银线，具有节能环保、简化工艺等优势。 

附图说明

图1为所述纳米金属线导电薄膜结构示意图 

图2为所述纳米金属线导电薄膜侧视图 

附图标记说明

1 封装件；2 IC晶片；3 导线架. 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。 

实施例1 

如图1和2所示，一种奈米金属线导电薄膜，包括：基座、IC晶片2、封装件1及用于与外部电连接的导线架3，所述IC晶片2固设于所述导线架3上，所述封装件1包覆所述IC晶片2，所述基座开设有一凹型腔，所述凹型腔具有一开口端，所述导线架和所述IC晶片2均设于所述凹型腔的内部，所述导线架3及与所述导线架3相连接的内脚及外脚，散热器设置于容置空间内， 

所述散热器包括与所述导线架3的内脚连接的绝缘导热层和与所述绝缘导热层连接的散热片。 

所述基座为塑胶件，所述导线架为金属件，所述基座与导线架3一体成型。 

所述导线架3为铜箔或铁箔所制。 

尽管以上结合附图对本实用新型的优选实施例进行了描述，但本实用新型不限于上述具体实施方式，上述具体实施方式仅仅是示意性的而不是限定性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不违背本实用新型宗旨及权利要求的前提下，可以作出多种类似的表示，这样的变换均落入本实用新型的保护范围之内。