[实用新型]一种纳米金属线导电薄膜有效
| 申请号： | 201420277587.6 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN203983262U | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘兴栋 | 申请（专利权）人： | 刘兴栋 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 万秀娟 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金属线 导电 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米金属线导电薄膜，包括：基座、IC晶片、封装件及用于与外部电连接的导线架，所述IC晶片固定设置于所述导线架上，所述封装件包覆所述IC晶片，其特征在于：所述基座开设有一凹型腔，所述凹型腔具有一开口端，所述导线架和所述IC晶片均设于所述凹型腔的内部，所述导线架及与所述导线架相连接的内脚和外脚形成一容置空间，散热器设置于所述容置空间内。
2.根据权利要求1所述的一种纳米金属线导电薄膜，其特征在于：所述散热器包括与所述导线架的内脚连接的绝缘导热层和与所述绝缘导热层连接的散热片。
3.根据权利要求1所述的一种纳米金属线导电薄膜，其特征在于，所述基座与导线架一体成型。
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