[实用新型]一种白光发光二极管LED及其LED芯片有效
| 申请号： | 201420273088.X | 申请日： | 2014-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN203910841U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘源;余洋;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 白光 发光二极管 led 及其 芯片 | ||
1.一种应用于白光发光二极管LED的LED芯片，所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，其特征在于，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为7-32层。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为11-19层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总厚度为0.4-2.5um。
5.根据权利要求1-3任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一电介质层为TiO2层，所述第二电介质层为SiO2层。
6.一种白光发光二极管LED，所述LED包括LED芯片和覆盖在所述芯片表面的荧光粉，所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，其特征在于，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。
7.根据权利要求6所述的LED，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为7-32层。
8.根据权利要求7所述的LED，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为11-19层。
9.根据权利要求6-8任一项所述的LED，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总厚度为0.4-2.5um。
10.根据权利要求6-8任一项所述的LED，其特征在于，所述第一电介质层为TiO2层，所述第二电介质层为SiO2层。
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