[实用新型]一种白光发光二极管LED及其LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种白光发光二极管LED及其LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。白光LED一般包括蓝光LED芯片和涂覆在LED芯片表面的荧光粉。蓝光LED芯片可以发出400-500nm的蓝色光线，蓝色光线会激发荧光粉发出500-800nm的长波段光线。LED芯片本身发出的蓝色光线和荧光粉发出的长波段光线混合在一起就构成了白光的视觉效果。

现有的LED芯片包括衬底、以及依次生长在衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层。其中，N型层上设有N电极，P型层上设有P电极，芯片保护层为SiO₂薄膜，芯片保护层覆盖了芯片正面除N电极和P电极之外的所有区域。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

荧光粉受激发出的光线是向四面八方传播的，SiO₂薄膜对荧光粉发出的500-800nm的长波段光线可以完全透过，造成荧光粉向下发出的长波段光线射入LED芯片，光线被LED芯片吸收，降低了LED的发光效率。

实用新型内容

为了解决现有技术降低了LED的发光效率的问题，本实用新型实施例提供了一种白光发光二极管LED及其LED芯片。所述技术方案如下：

一方面，本实用新型实施例提供了一种应用于白光LED的LED芯片，所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。

可选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为7-32层。

优选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为11-19层。

可选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总厚度为0.4-2.5um。

可选地，所述第一电介质层为TiO₂层，所述第二电介质层为SiO₂层。

另一方面，本实用新型实施例提供了一种白光LED，所述LED包括LED芯片和覆盖在所述芯片表面的荧光粉，所述芯片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的N型层、有源层、P型层、透明导电层、芯片保护层，所述N型层上设有N电极，所述P型层上设有P电极，所述芯片保护层覆盖在所述芯片正面除所述N电极和所述P电极之外的所有区域，所述芯片保护层包括交替生长的第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层的折射率与所述第二电介质层的折射率不同。

可选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为7-32层。

优选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总层数为11-19层。

可选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层的总厚度为0.4-2.5um。

可选地，所述第一电介质层为TiO₂层，所述第二电介质层为SiO₂层。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过交替生长折射率不同的第一电介质层和第二电介质层，形成布拉格反射层结构的芯片保护层，在白光LED的应用中，可以在保证蓝光LED芯片发出400-500nm的蓝色光线充分出射的同时，荧光粉受激发出的500-800nm的长波段光线在LED芯片表面被反射，避免了光线被LED芯片吸收，提高了LED的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例一提供的一种应用于白光LED的LED芯片的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一提供的芯片保护层的结构示意图；

图3是本实用新型实施例二提供的一种白光LED的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例一