[实用新型]芯片承载盘的结构有效
申请号: | 201420268633.6 | 申请日: | 2014-05-23 |
公开(公告)号: | CN203910771U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 陈柏琦 | 申请(专利权)人: | 矽创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/68 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 承载 结构 | ||
1.一种芯片承载盘的结构,其特征在于,其包含:
多个芯片容置槽;以及
多个倒装对位件,设置于该芯片承载盘的上表面。
2.如权利要求1所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,更包含:
一基板;以及
一框体,设置于该基板,该些芯片容置槽设置于该框体;
其中,该些倒装对位件设置于该基板或/及该框体。
3.如权利要求2所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该基板的一边角为一对位角。
4.如权利要求1所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该些倒装对位件呈非对称排列。
5.如权利要求1所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,更包含:
多个堆栈对位件,设置于该芯片承载盘,该些堆栈对位件呈非对称排列。
6.如权利要求5所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该些芯片容置槽之上更进一步设置一保护纸,该保护纸设置于该些堆栈对位件之间。
7.一种芯片承载盘的结构,其特征在于,其包含:
一第一承载盘,包含多个第一倒装对位件与多个第一芯片容置槽;以及
一第二承载盘,包含多个第二倒装对位件与多个第二芯片容置槽,该些第二倒装对位件对应该些第一倒装对位件;
其中,该第二承载盘的该些第二倒装对位件配合于该第一承载盘的该些第一倒装对位件,该第一承载盘与该第二承载盘翻转而倒置后,放置于该第一承载盘的该些第一芯片容置槽的多个芯片被翻转,而被倒置于该第二承载盘的该些第二芯片容置槽内。
8.如权利要求7所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该第一承载盘更包含:
一第一基板;以及
一第一框体,设置于该第一基板,该些第一芯片容置槽设置于该第一框体;
其中,该些第一倒装对位件设置于该第一基板或/及该第一框体;
该第二承载盘更包含:
一第二基板;以及
一第二框体,设置于该第二基板,该些第二芯片容置槽设置于该第二框体;
其中,该些第二倒装对位件设置于该第一基板或/及该第一框体。
9.如权利要求7所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该些第一倒装对位件与该些第二倒装对位件呈非对称排列。
10.如权利要求7所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该第二承载盘更进一步包含多个堆栈对位件,该些堆栈对位件对应该第一承载盘的该些第一倒装对位件,而设置于该第二承载盘的底面,该第二承载盘的该些堆栈对位件配合于该第一承载盘的该些第一倒装对位件,而该第二承载盘堆栈于该第一承载盘。
11.如权利要求7所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该第一承载盘更包含多个堆栈对位件,该些堆栈对位件设置于该第一承载盘的底面,且呈非对称排列。
12.一种芯片承载盘的结构,其特征在于,其包含:
一第一承载盘,包含多个第一堆栈对位件与多个第一芯片容置槽,该些第一堆栈对位件设置于该第一承载盘的上表面,并呈非对称排列;以及
一第二承载盘,包含多个第二堆栈对位件与多个第二芯片容置槽,该些第二堆栈对位件对应该些第一堆栈对位件,而设置于该第二承载盘的底面;
其中,该第二承载盘的该些第二堆栈对位件配合于该第一承载盘的该些第一堆栈对位件,而该第二承载盘堆栈于该第一承载盘。
13.如权利要求12所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该第一承载盘更包含:
一第一基板;以及
一第一框体,设置于该第一基板,该些第一芯片容置槽设置于该第一框体;
其中,该些第一堆栈对位件设置于该第一基板或/及该第一框体;
该第二承载盘更包含:
一第二基板;以及
一第二框体,设置于该第二基板,该些第二芯片容置槽设置于该第二框体;
其中,该些第二堆栈对位件设置于该第二基板的底面。
14.如权利要求12所述的芯片承载盘的结构,其特征在于,其中该第一承载盘更进一步包含多个第三堆栈对位件,该些第三堆栈对位件设置于该第一承载盘的底面,并且呈非对称排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造