[实用新型]一种掩模板

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种掩模板。

背景技术

在TFT LCD的成盒工艺中，需要对玻璃基板上涂覆封框胶的区域进行紫外光(Ultraviolet，以下简称为UV)照射，以使其固化；同时，在上述过程中，需要使用另一具有特定图形的玻璃基板对该玻璃基板上的其他区域进行遮挡，避免涂覆在其他区域的光刻胶固化。

在现有技术中，制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程如下：步骤S1，在玻璃基板上沉积不透明金属层，并在上述不透明金属层上涂覆一层光刻胶；步骤S2，使用掩模板对所需特定图形对应的玻璃基板上的相应区域进行曝光，使所需特定图形对应的区域的光刻胶变性；步骤S3，对玻璃基板上已曝光的区域进行显影，将已变性的光刻胶去除；步骤S4，对玻璃基板进行刻蚀处理，将所需特定图形对应的区域的不透明金属层去除，从而在玻璃基板上获得特定图形；步骤S5，去除玻璃基板上的光刻胶，在特定图形外的其他区域获得不透明金属层，并以该区域的不透明金属层作为挡光地带。

具体地，在上述步骤S2中，可通过下述多个步骤对玻璃基板上的多个区域依次进行多次曝光，使所需图形对应的区域的光刻胶变性：步骤S21，使用矩形掩模板1遮挡玻璃基板2的右下侧大部区域，如图1所示；步骤S22，对玻璃基板2的上部和右侧区域进行曝光，如图2所示；步骤S23，移动矩形掩模板1的位置，并使用曝光设备的挡光条3，遮挡玻璃基板2上的相应区域，如图3所示；步骤S24，对玻璃基板上未被遮挡的区域进行曝光，如图4所示；步骤S25，重复步骤S23～S24，获得如图5所示的玻璃基板，并多次重复步骤S23～S24，最终获得如图6所示的玻璃基板。

在上述制备具有特定图形的玻璃基板的工艺过程中，需要多次移动矩形掩模板，以遮挡玻璃基板上的相应区域。而在实际应用中，很难将掩模板完全准确地移动至相应位置，其二者之间一般存在一定的位置偏移，该位置偏移会导致部分所需特定图形对应的区域未被曝光或者部分其他不应曝光的区域被曝光，进而使玻璃基板上的特定图形与所需的特定图形之间产生一定的误差(就通过上述过程制备的玻璃基板而言，其表现为相邻两个挡光地带的距离a无法保证)，因此，在实际应用中，需要对掩模板移动过程中的位置偏移进行检测，以便对其进行校正，从而使在玻璃基板获得的图形尽可能和所需的特定图形一致。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩模板，其可以检测掩模板移动过程中产生的位置偏移，以便对该位置偏移进行校正，从而尽可能使在玻璃基板上获得的图形与所需的特定图形一致。

为实现本实用新型的目的而提供一种掩模板，其上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。

其中，所述第一测试图形上设有多个标记，所述标记沿第一方向排布，且在所述预设图形相对的两侧的第一测试图形上的所述标记关于第一方向镜面对称。

其中，所述多个标记具有不同的预设宽度；并且，每个所述第一测试图形上的各标记的预设宽度沿所述第一方向递增或递减。

其中，在所述第一测试图形上设置多个开口，相邻的两个所述开口之间的图形构成所述标记。

其中，多个所述开口的开口方向相同。

其中，多个所述开口的宽度相同。

其中，所述第一方向与所述开口的开口方向相垂直。

其中，每个第一测试图形上的各标记的宽度的范围为1.0μm～3.0mm。

其中，所述预设图形为矩形。

其中，所述掩模板上还设有第二测试图形，所述第二测试图形包括宽度不同的多个图案，所述多个图案用以确定曝光强度。

优选地，所述图案为矩形或圆形。

优选地，每个所述图案的宽度范围为1.0μm～3.0mm。

本实用新型具有以下有益效果：