[实用新型]晶圆清洗刷和晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置。

背景技术

在晶圆制造厂中，随着CMP工艺在多种应用中使用，如层间介质(ILD)、钨塞制作和双大马氏革结构制作，对于晶圆的清洗工艺变得更加严格。

其中，在CMP工艺后对晶圆的清洗的重点是去除抛光工艺中带来的所有玷污物。这些玷污物包括磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及磨料中所带来的化学玷污物。这些颗粒存留于晶圆表面的原因有：受压力而机械性地嵌入晶圆表面、受静电力的吸引力或原子力的排斥力而物理地粘附晶圆表面。

自从20世纪90年代初期，CMP工艺在晶圆制造厂中应用以来，CMP工艺后对晶圆的清洗方式从最初的用去离子水到进行兆声波清洗，发展到用双面洗擦毛刷(DSS)和去离子水对晶圆进行物理洗擦。当然，也出现了许多晶圆清洗装置来满足对CMP工艺后的晶圆进行清洗。

请参阅图1-图4，其中，图1为现有的晶圆清洗装置的立体结构示意图；图2为现有的晶圆清洗装置的结构示意图；图3为现有的晶圆清洗刷和晶圆的配合示意图；图4为图3的侧视示意图。现有的晶圆清洗装置包括：三只滚轮110、一对晶圆清洗刷120和两排设有若干用于冲洗晶圆130的晶圆清洗喷嘴141的供水管140。其中，所述晶圆130放置于滚轮110上，以便固定晶圆130的同时保持晶圆130的旋转状态；所述晶圆清洗刷120分别设置在晶圆130的正反面，且所述晶圆清洗刷120夹住晶圆130正反表面并对晶圆130正反表面进行滚动刷洗；两排供水管140分别设置于晶圆斜上方。所述晶圆清洗刷120包括刷桶121和设置于刷桶121的圆周表面的刷毛122，且刷桶121上的刷毛122呈圆柱状交错横向排列。当刷桶121转动时，晶圆130表面会受到刷毛122垂直向下的摩擦作用，使得晶圆130表面上的颗粒在刷毛122的作用下沿晶圆130表面向下运动，来实现对晶圆正反表面的清洗。

但是，在上述晶圆清洗装置使用后发现，晶圆表面仍然残留有较多的颗粒，没有有效的去除。因此，如何提供一种可以实现彻底清洗颗粒的晶圆清洗刷和清洗装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置，以解决现有技术中的晶圆清洗刷和晶圆清洗装置使用后，晶圆表面仍然残留有较多的颗粒，没有有效的去除的现象，致使后续工序的产品良率降低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆清洗刷和晶圆清洗装置，所述晶圆清洗刷包括：刷桶、设置于刷桶的圆周表面的刷毛、贯穿所述刷桶的刷轴及与所述刷轴连接的第一马达；所述第一马达驱动所述刷桶沿晶圆的第一表面的第一方向移动的同时沿第一方向作左右摆动。

可选的，在所述的晶圆清洗刷中，所述刷轴包括第一刷轴及与所述第一刷轴连接的第二刷轴；所述第一刷轴贯穿所述刷桶；所述第二刷轴与所述第一马达连接。

可选的，在所述的晶圆清洗刷中，所述刷毛为圆柱形刷毛，所述圆柱形刷毛交错横向排列。

可选的，在所述的晶圆清洗刷中，所述刷毛采用柔性材料。

可选的，在所述的晶圆清洗刷中，所述刷毛采用聚乙烯醇。

本实用新型还提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括：之前所述的晶圆清洗刷、晶圆吸附装置、第一喷水管及滚轮；其中，所述晶圆清洗刷及所述晶圆吸附装置分别设置于晶圆的两侧；所述第一喷水管设置于晶圆正上方；所述滚轮设置于晶圆的边缘。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述晶圆吸附装置包括：吸附盘、吸附片、固定盘、第二马达及驱动杆；其中，所述吸附片黏贴在固定盘表面；所述驱动杆贯穿所述固定盘及所述固定盘表面的所述吸附片与所述吸附盘连接，所述第二马达驱动所述吸附盘沿所述驱动杆运动。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述第一喷水管上设置有若干晶圆清洗喷嘴。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述第一喷水管为叉形管。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，还包括第三马达；所述第三马达与所述第一喷水管连接。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述第三马达控制所述第一喷水管在所述晶圆正上方作旋转运动。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述刷轴包括第一刷轴及与所述第一刷轴连接的第二刷轴；所述第一刷轴贯穿所述刷桶；所述第二刷轴与所述第一马达连接。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述刷毛为圆柱形刷毛，所述圆柱形刷毛交错横向排列。