[实用新型]一种熔丝测试结构及硅片有效

专利信息
申请号: 201420237723.9 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN203800040U 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 陈金园;黎智;谭志辉 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100871 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 结构 硅片
【权利要求书】:

1.一种熔丝测试结构,其特征在于,包括:用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝,所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连;其中,所述测试结构由第一预设数量的测试端口和金属线连接而成。

2.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述第一预设数量为8。

3.根据权利要求2所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述测试端口包括:第一、二、三、四、五、六、七、八测试端口,所述第八测试端口作为公共端口,其余七个所述测试端口分别通过一个所述熔丝与所述第八测试端口相连。

4.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述熔丝包括第二预设数量的第一熔丝和第三预设数量的第二熔丝;其中,所述第一熔丝包括:折线型熔丝和弓型熔丝,所述第二熔丝包括直线型熔丝。

5.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述熔丝为金属熔丝,所述金属熔丝与所述金属线直接相连。

6.根据权利要求1所述的熔丝测试结构,其特征在于,所述熔丝为多晶硅熔丝,所述多晶硅熔丝与所述金属线通过所述多晶硅熔丝的末端的通孔相连。

7.一种硅片,包括划片道区域,其特征在于,所述划片道区域中含有如权利要求1至6任一项所述的熔丝测试结构。

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