[实用新型]一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘有效
| 申请号： | 201420203207.4 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN203820884U | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 孙一军;李鸿渐;李盼盼;李志聪;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mocvd 外延 均匀 石墨 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘，包括大石墨盘和小石墨盘，在大石墨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合，布置在大石墨盘上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于：在所述小石磨盘的背部设置圆柱形凹槽，所述支撑凹槽设置在圆柱形凹槽的中部。
2.根据权利要求1所述的一种改善MOCVD外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述圆柱形凹槽的深度为10～10000微米，直径为10～10000微米。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
