[实用新型]一种真空计的保护装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种真空计的保护装置。

背景技术

离子注入机由于使用的三氟化硼(BF3)、砷化氢(AsH3)和磷化氢(PH3)等气体，在离子源腔体中的残留物会产生具有腐蚀作用的附着物，在注入过程中这些有害物质被泵抽取到除害桶中处理，但是在离子源腔体回归到大气状态时，一部分的附属物会随之散发到真空计中，对真空计造成腐蚀，从而缩短了真空计的使用寿命。

中国专利(CN103137447A)公开了一种离子注入机，，包括电源系统，反应腔室、预抽腔室、真空控制系统、送片系统及送气系统；所述真空控制系统分别与所述反应腔室、所述预抽腔室连接；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述送气系统用于向所述反应腔室通入反应与吹扫气体，真空计分别与所述预抽腔室和反应腔室连接。

该专利舍弃了原有离子注入机的注入方式，去除了质量分析、离子束聚焦与扫描系统等复杂的结构，提供了一种结构简单可用于大面积注入的离子注入机。但并没有解决由于离子源腔体中的附着物对真空计造成腐蚀，从而缩短了真空计的使用寿命的问题。

中国专利(CN103137410A)公开了基于ARM的嵌入式注入机控制系统，包括电源系统、反应腔室、预抽腔室、运行有注入机控制软件的上位机、真空控制系统、送片系统；所述真空控制系统在所述上位机的控制下，控制所述反应腔室、所述预抽腔室的真空度；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述上位机是基于ARM的方式实现，真空计分别与所述预抽腔室和反应腔室连接。

该专利提供的基于ARM的注入机控制系统信号采集系统整合度高，为控制提供了牢靠的外界条件，结构简单，可用于大面积的离子注入。但并没有解决由于离子源腔体中的附着物对真空计造成腐蚀，从而缩短了真空计的使用寿命的问题。

实用新型内容

本实用新型为解决离子源腔体中的附着物对真空计造成腐蚀，从而缩短了真空计的使用寿命的问题，从而提供一种真空计的保护装置的技术方案。

本实用新型所述一种真空计的保护装置，所述真空计通过管道与一离子源腔体连接，一充气管道连接所述离子源腔体，所述充气管道上设置一充气阀，所述真空计的保护装置包括：气动阀，所述气动阀设置于所述真空计与所述离子源腔体之间的管道上，所述气动阀与所述充气阀为互锁连接。

优选的，所述气动阀为单向阀门。

优选的，所述管道与所述离子源腔体之间密封连接。

优选的，所述充气管道与所述离子源腔体之间密封连接。

优选的，所述充气管道与所述离子源腔体的底部连接。

优选的，所述管道与所述离子源腔体的侧壁连接。

本实用新型的有益效果：

本实用新型通过在真空计与离子源腔体之间增加一个气动阀，且此气动阀和离子源腔体的充气阀为互锁连接，当充气阀打开时气动阀关闭，使离子源腔体在回归大气时散发出来的附着物物被增加的互锁气动阀挡住，从而保护到了真空计免受腐蚀损害，延长了真空计的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型所述真空计的保护装置的示意图；

附图中：1.气动阀；2.真空计；3.互锁连接；4.离子源腔体；5.充气阀。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

如图1所示，本实用新型提供一种真空计的保护装置，真空计2用于测量离子注入机中离子源腔体4的真空度，真空计2通过管道与一离子源腔体4连接，一充气管道连接离子源腔体4，充气管道上设置一充气阀5，该保护装置包括：气动阀1，气动阀1设置于真空计2与离子源腔体4之间的管道上，气动阀1与充气阀5为互锁连接3。

现有的离子注入机中的真空计2的平均寿命为6个月左右(根据离子注入实际情况而定)，采用了本实用新型中的充气阀5当离子源腔体4处于回归大气状态时可以有效隔绝50％以上的腐蚀气体分子进入真空计2中，延长了真空计2的使用寿命。

在优选的实施例中，气动阀1为单向阀门。

在优选的实施例中，管道与离子源腔体4之间密封连接，保证了真空计2可以准确的测得离子源腔体4内部的真空度。