[实用新型]复合导线架结构

说明书

技术领域

本实用新型关于一种软性基板及金属导线架的复合结构；更详而言，特别指将软性基板和金属导线架黏接组成的复合导线架结构，其效果为导电性佳、热导性佳、机械耐久力高、高脚化及小型化，又能应用于覆晶、打线等半导体封装技术的产品，且适用于LED、IC半导体封装的产品。

背景技术

公知的软性基板主要是将铜箔和酰胺化合物(Polyimide，PI)贴合而成，再以蚀刻、电解电镀形成导电线路，而完成软性基板的制作；如图1所示，软性基板8主要结构为软性基材80、上金属层81及黏着层82，其中，上金属层81上方设有金属电镀层83。公知，软性基板8和IC84共晶时，一般以附加电路板（图中未示）提高软性基板8封装的机械耐久力，使得IC84封装制程优良率提高；此外，软性基材80一般为酰胺化合物(Polyimide，PI)的材质，使得热传导系数约在0.1~0.35 W/mK的软性基材80的导热效果劣于热传导系数约在398W/mK的铜金属导线架，或者为了增加导热效果必须额外设置散热结构。

此外，公知的铜金属导线架9如图2所示，铜金属导线架9主要结构为导脚90，导脚90上方及下方设有金属电镀层91。由于铜金属导线架9的厚度造成各导脚间距大于软性基板的导电线路间距，使得铜金属导线架9的导脚数远小于软性基板的导电线路数，导致IC封装后的产品尺寸较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种复合导线架结构，其导电性佳、热导性佳、机械耐久力高、高脚化及小型化，又能适用于覆晶、打线等LED或IC半导体封装技术的产品。

为了达到上述目的，本实用新型提供一种复合导线架结构，其中由植晶层及焊接层组合而成，复合导线架结构由两个以上的单体排列所形成，单体和单体之间设有单体间隙，单体间隙设有单体植晶间隙、单体贴带间隙及焊接层单体间隙，又焊接层单体间隙填充有绝缘材，单体设有植晶部及焊接部，植晶部设有两个以上的第一导脚及一第一绝缘间隙，植晶部的各第一导脚设有至少一個导电通孔，又植晶部的各第一导脚依序由顶端向下设有上金属层、上黏着层、贴带层及下黏着层，植晶部的第一绝缘间隙设有导脚绝缘间隙及导脚贴带间隙，第一绝缘间隙形成于各第一导脚尖和各第一导脚尖之间，焊接部设有两个以上的第二导脚及一第二绝缘间隙，焊接部的第二绝缘间隙填充有绝缘材，焊接部的第二绝缘间隙形成于各第二导脚尖和各第二导脚尖之间，植晶部的各第一导脚和焊接部的各第二导脚上下相互对应，使得植晶部的下黏着层和焊接部紧密结合而成。

植晶部的两个以上的第一导脚数及焊接部的两个以上的第二导脚数大于二时，植晶部各第一导脚和各第一导脚之间设有导脚绝缘间距及导脚贴带间距，焊接部各第二导脚和各第二导脚之间设有绝缘间距，焊接部的绝缘间距填充有绝缘材。

导脚贴带间距设为酰胺化合物。

一种复合导线架结构，其中由植晶层、黏接层及焊接层组合而成，又复合导线架结构由两个以上的单体排列所形成，单体和单体之间设有单体间隙，单体间隙设有单体植晶间隙、单体贴带间隙及焊接层单体间隙，焊接层单体间隙填充有绝缘材，单体设有植晶部、黏接部及焊接部，植晶部设有两个以上的第一导脚及一第一绝缘间隙，植晶部的各第一导脚设有至少一個导电通孔，植晶部的各第一导脚依序由顶端向下设有上金属层、上黏着层、贴带层、下黏着层及下金属层，植晶部的第一绝缘间隙设有导脚绝缘间隙及导脚贴带间隙，植晶部的第一绝缘间隙形成于各第一导脚尖和各第一导脚尖之间，焊接部设有两个以上的第二导脚及一第二绝缘间隙，焊接部的第二绝缘间隙填充有绝缘材，焊接部的第二绝缘间隙形成于各第二导脚尖和各第二导脚尖之间，黏接部位于植晶部和焊接部之间，植晶部的各第一导脚和焊接部的各第二导脚上下相互对应，使得植晶部和焊接部紧密结合而成。

植晶部的两个以上的第一导脚数及焊接部的两个以上的第二导脚数大于二时，植晶部各第一导脚和各第一导脚之间设有导脚绝缘间距及导脚贴带间距，焊接部各第二导脚和各第二导脚之间设有绝缘间距，焊接部的绝缘间距填充有绝缘材。

导脚贴带间距设为酰胺化合物。

黏接部为导电胶。

黏接部设有上黏接部及下黏接部，又上黏接部位于植晶部的第一导脚下方，及下黏接部位于焊接部的第二导脚上方，又黏接部以上黏接部及下黏接部共晶结合而成。