[实用新型]大功率LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED照明封装结构，尤其是涉及大功率LED封装结构。 

背景技术

在LED封装结构中，对于功率在50W以内的LED封装结构，以往都是采用与100W的LED封装结构一样的基板以及封装结构，因此在生产50W以内的大功率LED封装结构时，因为封装的面积较大，使得封装结构内的芯片之间相隔距离较远、连接相邻芯片的导线拉得过长，在使用过程中，导线容易受到胶水等外界应力的挤压而导致断线，影响LED的使用寿命以及稳定性，更是导致50W以内的大功率LED灯无法正常使用，。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有50W以内的大功率LED封装结构中存在相邻芯片间隔大、导线长容易出现断线的缺点，提供一种适用于50W以内的大功率LED封装结构。 

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：大功率LED封装结构，包括铜基板、固设于所述铜基板上的正极接线端子、负极接线端子和塑胶框、若干个均设于所述塑胶框内的LED芯片以及设于所述塑胶框内的封装所述LED芯片的硅胶，相邻所述LED芯片通过所述铜基板与所述正极接线端子和负极接线端子连接，所述塑胶框的截面呈L字形结构，围合形成矩形框体，所述矩形框体内设有镀银层，所述LED芯片通过银胶固定于所述镀银层上。 

进一步地，所述塑胶框包括第一平板和第二平板，所述第一平板垂直于所述铜基板设置，所述第二平板贴合于所述铜基板上表面， 所述塑胶框的第二平板之间围合形成一矩形平面，所述镀银层设置于所述矩形平面内。 

具体地，所述塑胶框的矩形平面的面积占所述铜基板面积的35～50％。 

进一步地，所述塑胶框采用耐高温的PPA塑胶注塑于所述铜基板上。 

进一步地，若干个所述LED芯片呈若干行与若干列均匀排布，每列相邻所述LED芯片连接有导线，所述导线为金线。 

本实用新型的有益效果在于：本实用新型所提供的大功率LED封装结构主要是针对50W以内的大功率LED封装结构使用，在其封装结构中，其塑胶框设计为截面呈L字形结构，该L字形结构固定在铜基板上，围合形成矩形框体，用于围挡封装的硅胶的同时也用于限制了LED芯片的发光面积，使得封装结构中LED芯片排列更为紧凑、相邻LED芯片之间的导线长度缩短，一方面减少了导线的使用，另一方面避免了导线过长导致的容易断线而影响LED的使用寿命以及稳定性。 

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的大功率LED封装结构的立体结构示意图； 

图2是图1中A-A处的剖视图； 

图3是图2中B处的局部放大图； 

图4是本实用新型实施例提供的大功率LED封装结构的铜基板与塑胶框的正视图； 

图中：100-LED封装结构 

10-铜基板         11-负极接线端子 12-正极接线端子 

20-塑胶框         21-第一平板     22-第二平板   23-矩形平面 

30-镀银层         31-银胶 

40-LED芯片      50-导线        60-硅胶 

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。 

参见图1-4，为本实用新型所提供的大功率LED封装结构100，该大功率LED封装结构100主要是要针对50W以下的大功率LED使用。具体地，参见图1-2，该LED封装结构100包括铜基板10、固设于铜基板10上的正极接线端子12、负极接线端子11和塑胶框20，设于塑胶框20内的LED芯片40以及设于塑胶框20内的封装LED芯片的硅胶60，相邻LED芯片40通过铜基板10与正极接线端子11和负极接线端子12连接。该正极接线端子12和负极接线端子11具有低阻抗、高传导能力，该铜基板10上具有电路层，导线50连接相邻LED芯片40，而该LED芯片40通过铜基板10上的电路层与正极接线端子12和负极接线端子11连接，而该正极接线端子12和负极接线端子11在连接外接电源时，无需焊接，能够直接插线连接大功率LED封装结构100，因此该正极接线端子12和负极接线端子11能够提升大功率LED封装结构100的组装效率，也能够提高大功率LED灯的使用寿命和稳定性。