[实用新型]一种碳化硅外延炉的清理装置

说明书

技术领域：

本实用新型专利碳化硅外延炉产品技术领域，特指一种碳化硅外延炉的清理装置，该清理装置用于保障碳化硅外延炉盖板和内环的清理工作的一致性，减少因操作不当导致的缺陷。

背景技术：

碳化硅（SiC）作为新一代宽禁带半导体，具有优异的物理特性，为功率器件的制造奠定了良好的材料基础。常见的SiC器件主要在SiC单晶衬底上生长的SiC外延膜上进行，因为在SiC单晶生长的过程中控制掺杂较为困难，难以达到器件制作的要求，同时离子注入掺杂的效果也远逊于可以精确控制掺杂浓度的外延工艺，因此SiC外延膜的制作是SiC器件制作中重要并且必不可少的工艺程序。

SiC外延膜的制备方法主要有:升华法，液相外延法，溅射法，脉冲激光沉积，分子束外延和化学气相沉积等，目前商业生产中以化学气相沉积最为广泛使用。

在SiC化学气相外延生长过程中，外延炉顶部的盖板和内环等处会附着一层3C-SiC颗粒物，并随着SiC晶片外延生长过程不断沉积，当到达一定厚度后，会影响炉内气场和温场，需要对其进行清理。此外在SiC外延生长过程中，这些3C-SiC颗粒物会坠落在晶片表面，形成坠落（Down-fall）缺陷，这些缺陷会对SiC器件产生致命的影响。

目前，常见的处理办法是，经过一定时间的外延生长后，采用SiC材质的物品对其进行清理，然后涂覆一层均匀的3C SiC。但是操作人员的差异和工具的不同会导致清理结果的差异，涂覆的3C SiC也无法防止微小颗粒物的坠落，从而随机的在产品表面形成Down-fall缺陷。

实用新型内容：

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种碳化硅外延炉的清理装置，该清理装置可以保证在不同的人员操作过程中都不会因为个体差异导致清理的不彻底和力量过大损伤外延炉的盖板和内环等生长室内表面材质，从而保证每次清理后的洁净度和均匀性的方法，确保产品的稳定性和可持续性。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用了下述技术方案：该碳化硅外延炉的清理装置包括：一采用碳化硅材料制作的清理触头；一手柄，于手柄中设置有发光电路，该发光电路中至少包括两个发光回路，每个发光回路中设置有不同颜色的发光体；所述的清理触头安装在手柄上，并且二者之间连接有弹性伸缩件，于弹性伸缩件的压缩行程范围内至少设置有两个电极点，当清理触头受外力压缩而触发任意一个电极点时，发光电路中的一个发光回路导通，触发对应回路中的发光体发光。

进一步而言，上述技术方案中，所述的清理触头固定在一连接件上，通过该连接件活动安装在手柄上。

进一步而言，上述技术方案中，所述的弹性伸缩件为弹簧。所述的发光体为LED。所述的电极点为触发开关。

采用上述技术方案后，本实用新型与现有技术相比较具有如下有益效果：

本实用新型中的清理触头与手柄之间采用了弹性连接，并且在弹性伸缩件的压缩行程范围内设置两个触发电极点，分别触发两个发光回路，以控制不同颜色的发光体，弹性伸缩件被压缩到两个电极点之间时，此时弹簧的弹力与清理触头所受到的压力正好处于合理的压力范围内，在此压力范围内，清理触头可以实现对外延炉的良好清理。同时，由于操作人员可以根据发光体的发光所产生的提示调节清理力度的大小，从而保证清理力度在上述合理的压力范围内。

本实用新型采用上述技术方案后，可以保证不同的操作人员在清理外延炉的时候，保持均匀的力量清除外延过程中沉积的3C-SiC，而不损伤外延炉内表面材质，从而保证每次清理后的洁净度和均匀性的方法，确保产品的稳定性和可持续性。同时，本实用新型中的电路非常简单，便于加工和生产。

附图说明：

图1是本实用新型实施例一的主视图；

图2是本实用新型实施例一的内部结构示意图；

图3是本实用新型实施例二的内部结构示意图；

图4是本实用新型的电路原理图；

具体实施方式：

下面结合具体实施例和附图对本实用新型进一步说明。

见图1、2所示，本实施例中该碳化硅外延炉的清理装置包括：清理触头1和手柄2。

清理触头1采用高纯度的SiC制作，以避免清理过程中出现污染。

手柄2采用中空设计，清理触头1和手柄2之间通过弹簧连接，在手柄2内还设置有一个发光电路4，参见图4所示。该发光电路4中至少包括两个发光回路，每个发光回路中设置有不同颜色的发光体41或42。