[实用新型]一种芯片保护结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片保护结构。

背景技术

集成电路通常都是在硅片或其它半导体材料基板上制造，然后进行封装与测试。当封装时，必须先对集成电路进行切割（saw）。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域损坏。为了保护集成电路中心的电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置密封环（seal ring）。密封环可以防止任何裂痕（例如，因为切割集成电路时的应力（stress）所导致的裂痕）侵入集成电路内部的电路区域。此外，密封环亦可避免湿气渗入，或是避免其它化学物质进入而损坏集成电路内部的电路区域。

图1为现有技术中芯片保护结构的截面示意图，如图1所示，在半导体衬底10上形成有密封环11，所述密封环11包含横向排列与竖向排列的金属连接线12，在其余区域形成有介质层13，在所述密封环11的左侧为集成电路的中心电路区域（图中未示出），右侧还形成有虚拟金属（dummy metal）区域14，在dummy metal区域14的右侧是切割道15。所述密封环11可以阻止由于切割道15上产生的裂痕侵入集成电路的中心区域，起到保护电路的目的。

但是，随着低介电常数材料的应用，低介电常数材料的低机械强度的性质导致芯片机械强度降低，芯片边缘切割产生的裂痕很容易在低介电常数材料中传导，当传至密封环结构时，普通的密封环结构已经无法阻挡裂痕的扩展，如图1中箭头所示。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种芯片保护结构，用于解决现有技术中由于密封环无法阻挡裂痕的扩展，造成集成电路的中心电路区域损坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种芯片保护结构，其包括：

环状结构区，围绕集成电路区；

金属结构区，被切割道围绕，且所述金属结构区围绕所述环状结构区，其中所述金属结构区包括多层金属层,所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。

进一步的，所述底层金属层位于半导体衬底上。

进一步的，所述金属结构区中还包括保护层，包围所述金属层。

进一步的，所述保护层暴露所述金属层中的顶层金属层。

进一步的，所述顶层金属层的材质为铝。

进一步的，所述金属层中除顶层金属层之外的其余金属层的材质为铜或者铝。

进一步的，所述斜面与所述半导体衬底的夹角范围为0°～90°。

进一步的，所述斜面从底层金属层开始倾斜于所述环状结构区。

进一步的，所述顶层金属层与所述环状结构区的距离大于1um。

与现有技术相比，本实用新型所提供的芯片保护结构的有益效果是：

通过在环状结构区与切割道之间的区域内设置金属结构区，金属结构区中的金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列，用来释放切割过程中的应力，并且在裂痕到达芯片环状结构之前将其导流至芯片表面，进而阻挡裂痕向芯片内部延伸，保护芯片不会失效，降低芯片切割失效率。

附图说明

图1为现有技术中芯片保护结构的截面示意图。

图2为本实用新型一实施例所提供的芯片保护结构的截面示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型的芯片保护结构可广泛应用于多种领域，并且可以利用多种替换方式实现，下面通过较佳的实施例来加以说明，当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的描述，在详述本实用新型实施例时，为了便于说明，示意图不依一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。