[实用新型]一种芯片保护结构有效
| 申请号: | 201420148332.X | 申请日: | 2014-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN203800038U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
| 发明(设计)人: | 赵耀斌;戴海波;李日鑫 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 保护 结构 | ||
1.一种芯片保护结构,其特征在于,包括:
环状结构区,围绕集成电路区;
金属结构区,被切割道围绕,且所述金属结构区围绕所述环状结构区,其中所述金属结构区包括多层金属层,所述金属层从底层金属层开始沿一斜面向上排列。
2.如权利要求1所述的芯片保护结构,其特征在于,所述底层金属层位于半导体衬底上。
3.如权利要求1所述的芯片保护结构,其特征在于,所述金属结构区中还包括保护层,包围所述金属层。
4.如权利要求3所述的芯片保护结构,其特征在于,所述保护层暴露所述金属层中的顶层金属层。
5.如权利要求4所述的芯片保护结构,其特征在于,所述顶层金属层的材质为铝。
6.如权利要求5所述的芯片保护结构,其特征在于,所述金属层中除顶层金属层之外的其余金属层的材质为铜或者铝。
7.如权利要求2所述的芯片保护结构,其特征在于,所述斜面与所述半导体衬底的夹角范围为0°~90°。
8.如权利要求7所述的芯片保护结构,其特征在于,所述斜面从底层金属层开始倾斜于所述环状结构区。
9.如权利要求4所述的芯片保护结构,其特征在于,所述顶层金属层与所述环状结构区的距离大于1um。
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