[实用新型]单相电抗器低漏磁结构有效
| 申请号： | 201420145847.4 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN203760286U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈爱军 | 申请（专利权）人： | 长沙长源变压器有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/30 | 分类号： | H01F27/30;H01F27/245 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先 |
| 地址： | 410100 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单相 电抗 器低漏磁 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种单相电抗器低漏磁结构，其特征在于，包括空心线圈、顶面撑条、内部撑条、垫板和铁心，空心线圈安装在铁心内的中间位置，空心线圈与铁心之间具有空气对流气道，空心线圈内安装有三组内部撑条，空心线圈上端与铁心之间安装有三根顶面撑条，空心线圈下端与铁心之间安装有一块垫板。
2.根据权利要求1所述单相电抗器低漏磁结构，其特征在于，所述的空心线圈成型为多段空心圆柱体，内部撑条安装在空心圆柱体的段与段之间。
3.根据权利要求1所述单相电抗器低漏磁结构，其特征在于，所述的铁心成型为两相对面开放的长方体，由硅钢片采用直接缝搭接式叠积而成，叠积硅钢片宽度≤30mm，叠积厚度≥空心线圈最大外径。
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