[实用新型]半导体晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种半导体晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆清洗工艺对电子工业，尤其是半导体工业极其重要。在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度越高，制造工序越多，清洗的工序也越多。

晶圆清洗主要是去除吸附在晶圆表面的各种杂质离子，如微粒、有机物、无机金属离子等，使晶圆的表面洁净度达到一定的工艺要求。湿法晶圆清洗的原理是使用各种化学药液与晶圆表面各种杂质粒子发生化学反应，生成溶于水的物质，再用高纯水冲洗，去除晶圆表面的各种杂质。

随着半导体晶圆工艺的发展，为了满足晶圆电学特性的需求，对清洗后的晶圆洁净度的要求也越来越高。为了满足晶圆洁净度的要求，就必须满足清洗晶圆后的纯水的水阻达到17MΩ/CM以上，其中，所述纯水的水阻越大，晶圆的洁净度越高。

现有技术中，都是通过延长冲洗的时间来满足晶圆洁净度的要求，即满足清洗晶圆后的纯水的水阻在17MΩ/CM以上，但是，其溢流冲洗的时间往往要超过30分钟，这样不仅会浪费大量的纯水，而且有时还无法达到水阻在17MΩ/CM以上的要求，使得晶圆的洁净度较低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种半导体晶圆清洗装置，以解决现有技术中在清洗晶圆时浪费大量纯水以及洁净度较低的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种半导体晶圆清洗装置，包括溢流清洗槽，所述溢流清洗槽具有进水口和出水口，还包括：

位于所述溢流清洗槽内的中空面板，所述中空面板具有第一进气口和多个均匀分布的出气口；

与所述第一进气口相连并向所述第一进气口中通入气体的气体管道。

优选的，所述清洗装置还包括：

与所述气体管道相连的气体流量计，其中，所述气体流量计具有向所述气体管道通入气体的第二进气口。

优选的，所述气体流量计位于所述溢流清洗槽的外部。

优选的，所述气体管道与所述第一进气口相连的部分位于所述溢流清洗槽的内部，所述气体管道与所述气体流量计相连的部分位于所述溢流清洗槽的外部。

优选的，所述中空面板为盒状结构，包括相互平行的第一表面和第二表面，以及位于所述第一表面和第二表面之间的四个侧面。

优选的，所述中空面板的第一表面朝向所述溢流清洗槽底板的一侧，所述中空面板的第二表面背向所述溢流清洗槽底板的一侧。

优选的，所述第一进气口位于所述中空面板的任一侧面。

优选的，所述多个出气口均匀分布在所述中空面板的第二表面。

优选的，所述中空面板为中空的石英面板。

优选的，所述气体为氮气。

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：

本实用新型所提供的半导体晶圆清洗装置，在溢流清洗槽底部设置了中空面板，通过中空面板的多个均匀分布的出气口将通入其内部的气体排放到所述溢流清洗槽的纯水中，从而使得晶圆在溢流清洗时得到了充分的搅拌，能够使晶圆上的杂质尽快溶解于纯水中并随纯水流走，从而缩短了清洗时间，节约了纯水的用量。

同时，气体的导入在纯水和空气之间形成的气膜，阻挡了空气中的二氧化碳溶解于水而形成低浓度的碳酸，起到了氮封的作用，抑制了水阻的降低，使得晶圆溢流清洗时的水阻较快的达到了17MΩ/CM以上，从而能够快速地达到理想的超高洁净度清洗效果，进一步的缩短了清洗时间，节约了纯水的用量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一个实施例提供的半导体晶圆清洗装置的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中，都是通过延长冲洗的时间来满足晶圆洁净度的要求，即满足清洗晶圆后的纯水的水阻在17MΩ/CM以上，但是，其溢流冲洗的时间往往要超过30分钟，这样不仅会浪费大量的纯水，而且有时还无法达到水阻在17MΩ/CM以上的要求，使得晶圆的洁净度较低。