[实用新型]一种MEMS 晶圆辅助切割的对准装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，涉及一种对准装置，特别是涉及一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置。

背景技术

微机电系统（Micro-electromechanical System，MEMS）是一种基于微电子技术和未加工技术的一种高科技领域。MEMS技术克将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。MEMS器件具有微笑、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。MEMS技术的发展开辟了一个全新的技术领域和产业，利用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网以及其他领域汇总都有着十分广阔的应用前景。

在目前的MEMS产品中，一般包括衬底晶圆和盖帽晶圆（cap wafer），通过键合工艺使衬底晶圆上的器件处于密闭的真空腔体内，键合工艺完成后，只能看见所述衬底晶圆和盖帽晶圆的背面，看不到晶圆上的任何器件图案和标记，这给芯片切割带来了新的挑战。

传统的MEMS器件切割工艺如图1所示，所述衬底晶圆1A和盖帽晶圆2A键合之后，在所述盖帽晶圆2A的两个相邻的侧边上进行盲切使切割出5～7mm的区域，然后露出下面衬底晶圆1A的切割道并进行对准切割。由于盲切很容易切到衬底晶圆1A上的器件，导致器件被切坏，使MEMS器件的产率大大降低。

因此，提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，用于解决现有技术中MEMS晶圆切割时盲切容易发生器件被切坏的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准所述晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区上放置待对准切割的晶圆。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述晶圆通过粘结层固定于所述对准板的中心区。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述粘结层为胶带。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述刻度线包括长刻度线和短刻度线。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述长刻度线与短刻度线等距间隔排列。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述长刻度线与短刻度线间的间距为1.5～2.5mm。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区的标记与晶圆边缘的刻痕形状一致。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述标记与晶圆边缘的刻痕均为V字形。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区的标记与待切割晶圆边缘对准时偏移10～15μm。

作为本实用新型MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区还包括将对准板固定放置在切割机台上的缺口。

如上所述，本实用新型的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准所述晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区用于放置待对准切割的晶圆。本实用新型提供的MEMS晶圆辅助切割的对准装置先通过外围区的标记精确对准好晶圆的位置，再通过外围区的刻度线直接对准切割道进行切割，避免了现有技术中的盲切引起器件损伤，大大提高了切割工艺的可靠性，进而提高MEMS产品的产率。

附图说明

图1为现有技术的MEMS器件切割工艺的盲切示意图。

图2为本实用新型的MEMS晶圆辅助切割的对准装置结构示意图。

图3为本实用新型的MEMS晶圆辅助切割的对准装置中心区上贴装晶圆的结构示意图。

图4为利用实用新型的MEMS晶圆辅助切割的对准装置上的刻度线进行对准切割的结构示意图。

元件标号说明

100       对准板

1         外围区

101       刻度线

1011      长刻度线