[实用新型]一种MEMS 晶圆辅助切割的对准装置有效
| 申请号： | 201420128522.5 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN203739023U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郑超;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 辅助 切割 对准 装置 | ||
1.一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准待切割晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区上放置待切割晶圆。
2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述晶圆通过粘结层固定于所述对准板的中心区。
3.根据权利要求2所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述粘结层为胶带。
4.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述刻度线包括长刻度线和短刻度线。
5.根据权利要求4所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述长刻度线与短刻度线等距间隔排列。
6.根据权利要求5所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述长刻度线与短刻度线间的间距为1.5～2.5mm。
7.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述外围区的标记与待切割晶圆边缘的刻痕形状一致。
8.根据权利要求7所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述标记与晶圆边缘的刻痕均为V字形。
9.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述外围区的标记与待切割晶圆边缘对准时偏移10～15μm。
10.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于：所述外围区还包括将对准板固定放置在切割机台上的缺口。
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