[实用新型]一种提高清洗机产能的装置有效
申请号: | 201420122359.1 | 申请日: | 2014-03-18 |
公开(公告)号: | CN203800021U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 商毅博 | 申请(专利权)人: | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 倪金荣 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 清洗 产能 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于LED外延衬底图形制造领域,特别是涉及一种提高清洗机产能的装置。
背景技术
在半导体制造领域,wafer(晶片)的清洗一直是必不可少的工艺环节。尤其在PSS图形化衬底制造工艺中,不仅在制备PSS图形前需要对wafer进行清洗,通过ICP蚀刻完所需图形后,仍需要对产品进行出货清洗,再加上返工流程所需要的清洗,整个制备流程在清洗环节需要消耗大量的时间,对清洗设备的产能是很大的考验。因此,在生产中,化学清洗往往是提高生产效率的瓶颈所在。
目前,清洗的工艺流程为,下线洗:酸洗+去离子水洗→碱洗+去离子水洗→刷洗→甩干;ICP后清洗:酸洗+去离子水洗→超声碱洗+去离子水洗→甩干→超声碱洗+去离子水洗→高温酸洗+去离子水洗→甩干。其中在每一组药液清洗完成后都有一步去离子水清洗,采用去离子水清洗的目的是清除残留在wafer表面的药液,防止在进行下步清洗时污染随后的药液,因此,此步骤不可避免。
现有的清洗机台的设计一般为,药液槽和对应的去离子水槽配成一组,药液槽在里,水槽在外。每组槽上方配备带有一个抓手并可以旋转180°的轴,抓手处配有一个挂篮用来放置盛放水的片盒。清洗时,由人工将片盒放入挂篮内,之后挂篮旋转180°至药液槽上方,下降,将片盒浸入药液中清洗,清洗完成后,抓手上升并旋转180°至水槽上方,下降至水槽中完成去离子水清洗。即可完成此环节的清洗。由清洗流程可以看到,当流程进行到去离子水洗时,药液槽处于闲置状态,非常严重的浪费机台的产能。
实用新型内容
为了解决背景技术中所存在的技术问题,本实用新型提出了一种提高清洗机产能的装置,清洗效率提高,提高了清洗机台的产能。
本实用新型的技术解决方案是:一种提高清洗机产能的装置,包括转动轴、与转动轴连接的抓手轴以及设置在抓手轴端部的抓手部件,其特征在于:所述抓手轴是两个,沿转动轴的轴向方向对称设置。
上述抓手部件上设置挂篮,所述挂篮设置在抓手部件端部。
本实用新型的发明是在原机台设备上增加一装置,以达到提高清洗机台产能的目的。机台改造后,清洗效率提高,提高了清洗机台的产能。
附图说明
图1是本实用新型现有技术的结构示意图;
图2是本实用新型的结构示意图;
具体实施方式
参见图2,本实用新型提出了一种提高清洗机产能的装置,包括转动轴1、与转动轴1连接的抓手轴2以及设置在抓手轴2端部的抓手3,抓手轴2是两个,沿转动轴1的轴向方向对称设置。以转动轴1为轴,本实用新型在原抓手轴对称的地方增加一个抓手3和挂篮4。清洗时,由人工将片盒分别放入两个挂篮4内,之后挂篮旋转180°至药液槽上方,下降,将片盒浸入药液中清洗,清洗完成后,抓手3上升并旋转180°至水槽上方,下降至水槽中完成去离子水清洗。当第一批产品完成药液清洗转动至水槽时,第二批产品则刚好转至药液槽,即当第一批产品进行至去离子水清洗时,可同时对第二批产品进行药液清洗。这样,可大大提高清洗机台的产能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造