[实用新型]包括导电电极的电子装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子装置和形成电子装置的方法，更具体而言涉及包括导电电极的电子装置及其形成方法。 

背景技术

绝缘栅场效应晶体管(IGFET)是可以用于功率切换电路的常见类型的晶体管。IGFET包括源极区、漏极区、在源极区与漏极区之间延伸的沟道区、以及与沟道区相邻的栅极结构。栅极结构包括与沟道区相邻布置并且通过栅极电介质层与沟道区分开的栅电极。 

功率晶体管应具有低导通电阻和低性能系数。导电电极可以用于帮助降低漏极至栅极的电容。当形成至晶体管的源极区的接触时，可以将导电电极形成为部分金属化层。这种导电电极可限制放置互连的地方。另外，导电电极可能不具有降低漏极至栅极的电容的最佳设计。 

实用新型内容

根据本实用新型的一方面，提供了一种电子装置，其包括：半导体层；叠加在所述半导体层上的第一绝缘层；叠加在所述第一绝缘层上的第一导电电极部件；以及叠加在所述半导体层上并且与所述半导体层间隔开的第二导电电极部件，其中：所述第一导电电极部件邻接所述第二导电电极部件；所述第二导电电极部件具有第一端和与所述第一端相对的第二端；以及所述半导体层和所述第一导电电极部件中的每个比起所述第二导电电极部件的所述第二端更接近所述第二导电电极部件的所述第一端。 

优选地，所述电子装置还包括具有比起所述第二导电电极部件更接近所述第一导电电极部件的栅电极的晶体管。 

优选地，所述电子装置还包括：叠加在所述第一导电电极部件上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层限定了第一接触开口和第二接触开口；邻接所述第一接触开口内的所述栅电极的第一导电塞；以及邻接所述第二导电电极部件的第二导电塞。 

优选地，其中没有接触开口通过所述第二绝缘层延伸至所述第一导电电极部件。 

优选地，其中：所述第一导电电极部件具有位于第一高度的最高点；所述第二导电电极部件具有位于第二高度的最高点；并且所述栅电极具有位于比起所述第一高度更接近所述第二高度的第三高度的最高点；所述第一高度与所述第三高度之间的差异为至少约0.4微米；以及所述第二高度与所述第三高度之间的差异不大于约0.2微米。 

优选地，所述电子装置进一步包括：叠加在所述第一导电电极部件上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层限定了第一接触开口和第二接触开口；邻接所述第一接触开口内的所述栅电极的第一导电塞；以及邻接所述第二导电电极部件的第二导电塞；其中：没有接触开口通过所述第二绝缘层延伸至所述第一导电电极部件；所述第一导电电极部件具有位于第一高度的最高点；所述第二导电电极部件具有位于第二高度的最高点；并且所述栅电极具有位于比起所述第一高度更接近所述第二高度的第三高度的最高点；所述第一高度与所述第三高度之间的差异为至少约0.4微米；以及所述第二高度与所述第三高度之间的差异不大于约0.2微米；所述晶体管还包括源极区，其中所述源极区和所述第一导电电极部件以及所述第二导电电极部件彼此电连接；以及所述晶体管还包括漏极区，所述漏极区包括布置在所述第一绝缘层和所述第一导电电极部件之下的水平定向的掺杂区。 

根据本实用新型的另一方面，提供了一种电子装置，其包括：半 导体层；叠加在所述半导体层上的第一绝缘层；以及叠加在所述第一绝缘层上的第一导电电极，其中从剖视图，所述第一导电电极基本上是L形的。 

优选地，所述电子装置还包括包含漏极区的晶体管，所述漏极区包括布置在所述第一绝缘层和所述第一导电电极之下的水平定向的掺杂区。 

优选地，所述电子装置还包括：埋置导电区，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中将所述埋置导电区比起所述主表面更接近所述相对表面布置；以及垂直导电区，其与所述半导体层的所述主表面相邻并且朝所述埋置导电区延伸，其中将所述垂直导电区电连接到所述埋置导电区和所述水平定向的掺杂区；第二导电电极，其中；从剖视图，所述第二导电电极基本上是L形的；以及从顶视图，所述垂直导电区位于所述第一导电电极与所述第二导电电极之间。