[实用新型]包括导电电极的电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其包括： 

半导体层； 

叠加在所述半导体层上的第一绝缘层； 

叠加在所述第一绝缘层上的第一导电电极部件；以及 

叠加在所述半导体层上并且与所述半导体层间隔开的第二导电电极部件，其中： 

所述第一导电电极部件邻接所述第二导电电极部件； 

所述第二导电电极部件具有第一端和与所述第一端相对的第二端；以及 

所述半导体层和所述第一导电电极部件中的每个比起所述第二导电电极部件的所述第二端更接近所述第二导电电极部件的所述第一端。 

2.根据权利要求1所述的电子装置，其还包括具有比起所述第二导电电极部件更接近所述第一导电电极部件的栅电极的晶体管。 

3.根据权利要求2所述的电子装置，其还包括： 

叠加在所述第一导电电极部件上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层限定了第一接触开口和第二接触开口； 

邻接所述第一接触开口内的所述栅电极的第一导电塞；以及 

邻接所述第二导电电极部件的第二导电塞。 

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中没有接触开口通过所述第二绝缘层延伸至所述第一导电电极部件。 

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的电子装置，其中： 

所述第一导电电极部件具有位于第一高度的最高点； 

所述第二导电电极部件具有位于第二高度的最高点；并且 

所述栅电极具有位于比起所述第一高度更接近所述第二高度的第三高度的最高点； 

所述第一高度与所述第三高度之间的差异为至少约0.4微米；以及 

所述第二高度与所述第三高度之间的差异不大于约0.2微米。 

6.根据权利要求2所述的电子装置，进一步包括： 

叠加在所述第一导电电极部件上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层限定了第一接触开口和第二接触开口； 

邻接所述第一接触开口内的所述栅电极的第一导电塞；以及 

邻接所述第二导电电极部件的第二导电塞； 

其中： 

没有接触开口通过所述第二绝缘层延伸至所述第一导电电极部件； 

所述第一导电电极部件具有位于第一高度的最高点； 

所述第二导电电极部件具有位于第二高度的最高点；并且 

所述栅电极具有位于比起所述第一高度更接近所述第二高度 的第三高度的最高点； 

所述第一高度与所述第三高度之间的差异为至少约0.4微米；以及 

所述第二高度与所述第三高度之间的差异不大于约0.2微米； 

所述晶体管还包括源极区，其中所述源极区和所述第一导电电极部件以及所述第二导电电极部件彼此电连接；以及 

所述晶体管还包括漏极区，所述漏极区包括布置在所述第一绝缘层和所述第一导电电极部件之下的水平定向的掺杂区。 

7.一种电子装置，其包括： 

半导体层； 

叠加在所述半导体层上的第一绝缘层；以及 

叠加在所述第一绝缘层上的第一导电电极，其中所述第一导电电极基本上是L形的。 

8.根据权利要求7所述的电子装置，其还包括包含漏极区的晶体管，所述漏极区包括布置在所述第一绝缘层和所述第一导电电极之下的水平定向的掺杂区。 

9.根据权利要求8所述的电子装置，其还包括： 

埋置导电区，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中将所述埋置导电区比起所述主表面更接近所述相对表面布置；以及 

垂直导电区，其与所述半导体层的所述主表面相邻并且朝所述埋置导电区延伸，其中将所述垂直导电区电连接到所述埋置导电区和所述水平定向的掺杂区； 

第二导电电极，其中； 

所述第二导电电极基本上是L形的；以及 

当从所述电子装置的顶部看时，所述垂直导电区位于所述第一导电电极与所述第二导电电极之间。 

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中： 

所述第一导电电极和所述第二导电电极中的每个包括有第一端和与所述第一端相对的第二端的水平部分，以及与所述第二端相邻并且与所述第一端间隔开的垂直部分； 

当从所述电子装置的顶部看时，所述垂直导电区的位置比起所述第一导电电极和所述第二导电电极的所述水平部分的所述第一端更接近所述第一导电电极和所述第二导电电极的所述垂直部分；以及 

晶体管，还包括栅电极，所述栅电极的位置： 

比起所述第二导电电极更接近所述第一导电电极；以及 

比起所述第一导电电极的所述第二端更接近所述第一导电电极的所述第一端。