[实用新型]一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，属于机械技术领域。

背景技术

8PIN半导体封装引线框架PREMOLD，包括CAP，MOUSE产品PREMOLD在CAPPING过程容易出现CAP与PMF结合不好，在现有的半导体封装技术中，采用的是只有PMF,CAP内壁直接粘粘连接封装模式，并且内壁都为平面在作业过程发现单一的用于平面固定，不能很好的结合CAP和PMF，会发生脱落导致制品失效，甚至脱离，导致结构不良。 

实用新型内容

本实用新型提供一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，结构简单，能够使CAP与PMF之间的连接更牢固。

为解决以上技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，所述PMF的连接侧面设有凹陷区，CAP连接侧的外壁连接PMF凹陷区内壁；所述PMF凹陷区底部设有凸起部I，该凸起部I与PMF凹陷区内壁之间形成凹槽；CAP连接侧的端面上设有凸起部II，所述凸起部II伸入所述凹槽；所述凸起部II与所述凹槽紧密衔接。

进一步地，所述凸起部II的横截面为等边梯形。

进一步地，所述凸起部II设置在端面的四周边缘处。

进一步地，所述凸起部II的长度大于所处端面边长的一半，小于所处端面边长。

进一步地，所述凸起部II的数量为四个，相对方向的长度相等。

进一步地，所述CAP连接侧的中心处设有圆柱突起，该圆柱突起与PMF凹陷区中心的柱形凹槽连接。

本实用新型涉及的这种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，具有结构简单，性能稳定的特点。

附图说明

图1为本实用新型CAP左视图；

图2为本实用新型CAP正剖视图；

图3为本实用新型CAP右视图；

图4为本实用新型8DIP半导体PMF与CAP的封装结构图；

图5为本实用新型PMF三维视图；

图6为本实用新型PMF三维视图；

图7为本实用新型PMF正剖视图；

图中标记如下：1-CAP、2-PMF、11-凸起部II、12-圆柱突起、21-凹陷区、22-凸起部I、23-柱形凹槽、24-凹槽。

具体实施方式

如图1所示，如图1-4所示， 8DIP半导体PMF2与CAP1的封装结构，PMF的连接侧面设有凹陷区21，CAP连接侧的外壁连接PMF凹陷区内壁，PMF凹陷区21底部设有凸起部I22，该凸起部I22与PMF2凹陷区内壁之间形成凹槽24；连接侧的端面上设有凸起部II11，所述凸起部II11伸入所述凹槽24；所述凸起部II11与所述凹槽24紧密衔接。

如图5-7所示，凸起部II11的横截面为等边梯形。

凸起部II11设置在端面的四周边缘处。

凸起部II11的长度大于所处端面边长的一半，小于所处端面边长。

凸起部II11的数量为四个，相对方向的长度相等。

CAP1连接侧的中心处设有圆柱突起12，该圆柱突起与PMF2凹陷区中心的柱形凹槽23连接。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：本实用新型的PMF、CAP在设计时，考虑了封装过程发生CAP脱落不良现象，设计内部卡槽，很好的避免CAP脱落现象的发生，而且封装过程性能更稳定。产品制作过程成品率提高很多，信赖性更好。

本实用新型所述的具体实施方式并不构成对本申请范围的限制，凡是在本实用新型构思的精神和原则之内，本领域的专业人员能够作出的任何修改、等同替换和改进等均应包含在本实用新型的保护范围之内。