[实用新型]一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构

权利要求书

1.一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述PMF的连接侧面设有凹陷区，CAP连接侧的外壁连接PMF凹陷区内壁；所述PMF凹陷区底部设有凸起部I，该凸起部I与PMF凹陷区内壁之间形成凹槽；CAP连接侧的端面上设有凸起部II，所述凸起部II伸入所述凹槽；所述凸起部II与所述凹槽紧密衔接。

2.根据权利要求1所述的一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述凸起部II的横截面为等边梯形。

3.根据权利要求2所述的一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述凸起部II设置在端面的四周边缘处。

4.根据权利要求3所述的一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述凸起部II的长度大于所处端面边长的一半，小于所处端面边长。

5.根据权利要求3或4所述的一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述凸起部II的数量为四个，相对方向的长度相等。

6.根据权利要求1所述的一种8DIP半导体PMF与CAP的封装结构，其特征在于，所述CAP连接侧的中心处设有圆柱突起，该圆柱突起与PMF凹陷区中心的柱形凹槽连接。