[实用新型]电子装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子装置和其形成工艺，且更特定地说涉及包括垂直导电结构的电子装置和其形成工艺。

背景技术

绝缘栅极场效应晶体管（IGFET）是可用于功率切换电路的常见晶体管类型。IGFET包括源极区域、漏极区域、在源极区域与漏极区域之间延伸的沟道区域和与沟道区域相邻的栅极结构。栅极结构包括被布置成与沟道区域相邻且由栅极介电层与沟道区域分开的栅极电极。

功率晶体管应具有低导通电阻和低品质因数。导电结构可用来帮助减小导通电阻并降低品质因数。然而，这些导电结构可能使用极度复杂的工艺流程或使用具有低工艺余裕的处理步骤而形成。

实用新型内容

本实用新型的一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。

本实用新型的一个方面涉及一种电子装置，其包括：埋入导电区域；半导体层，其具有主表面和相对表面，其中埋入导电区域被布置成比距离主表面更接近相对表面；水平定向掺杂区域，其与主表面相邻；垂直导电区域，其与主表面相邻且延伸通过半导体层朝向埋入导电区域，其中垂直导电区域电连接于水平定向掺杂区域和埋入导电区域；绝缘层，其覆盖水平定向掺杂区域和垂直导电区域；和第一导电电极，其覆盖绝缘层和水平定向掺杂区域，其中垂直导电区域的一部分并非位于第一导电电极下方。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括第二导电电极，第二导电电极布置在垂直导电区域上方、在垂直导电区域上方的位置处与垂直导电区域分开，并且位于高于第一导电电极的高度。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括功率晶体管的源极区域，其中源极区域电连接于第一导电电极。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括位于水平定向掺杂区域下方的降低表面电场区域，其中降低表面电场区域具有相比于水平定向掺杂区域的相反导电类型，其中降低表面电场区域延伸到垂直导电区域。

根据本实用新型的一个方面，在电子装置中，水平定向掺杂区域是功率晶体管的漏极区域的部分。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括功率晶体管的栅极电极，其中栅极电极与第一导电电极分开且电隔离。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括布置在埋入导电区域与半导体层之间的埋入绝缘层，其中垂直导电区域延伸通过埋入绝缘层。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括肖特基二极管，肖特基二极管由到水平定向掺杂区域的与功率晶体管分开的部分的导电插头的接触件形成，其中水平定向掺杂区域的部分具有相比于水平定向掺杂区域的与垂直导电区域相邻的不同部分的较低掺杂浓度。

本实用新型的一个方面涉及一种电子装置，其包括：埋入导电区域；半导体层，其具有主表面和相对表面，其中埋入导电区域被布置成比距离主表面更接近相对表面；水平定向掺杂区域，其与主表面相邻；位于水平定向掺杂区域下方的降低表面电场区域，其中降低表面电场区域具有相比于水平定向掺杂区域的相反导电类型;晶体管。晶体管包括漏极区，其包括水平定向掺杂区域的第一部分；栅电极，其中整个栅电极覆盖主表面；源极区，其与主表面相邻。电子装置还包括垂直导电区域，其与主表面相邻且延伸通过半导体层朝向埋入导电区域，其中垂直导电区域电连接于水平定向掺杂区域的第一部分和埋入导电区域，并且垂直导电区域接触降低表面电场区域；以及肖特基二极管，肖特基二极管由到水平定向掺杂区域的与晶体管分开的第二部分的导电插头的接触件形成，其中水平定向掺杂区域的第二部分具有相比于水平定向掺杂区域的第一部分的较低掺杂浓度。

根据本实用新型的一个方面，电子装置还包括：绝缘层，其覆盖垂直导电区域；第一导电电极，其覆盖绝缘层和水平定向掺杂区域；第二导电电极，第二导电电极覆盖绝缘层和垂直导电区域，其中从截面图看第二导电电极和垂直导电区域具有彼此对齐的侧；以及其中晶体管的源极区、肖特基二极管的导电插头以及第一和第二导电电极彼此电连接。

根据本实用新型的方面，形成电子装置的工艺允许在导电电极、栅极电极、源极区域或二者之后形成垂直导电区域。此外，肖特基接触件可集成到工艺流程中且占据相对较小量的面积。

附图说明

实施方案是通过举例的方式加以说明且不限于附图。

图1包括工件的部分的横截面图的说明，工件包括埋入导电区域、埋入绝缘层、半导体层和介电层。

图2包括图1的在形成水平定向掺杂区域和降低表面电场(Reduced Surface Field,resurf)区域之后的工件的横截面图的说明。