[实用新型]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于包括：

埋入导电区域；

半导体层，其具有主表面和相对表面，其中所述埋入导电区域被布置成比距离所述主表面更接近所述相对表面；

水平定向掺杂区域，其与所述主表面相邻；

垂直导电区域，其与所述主表面相邻且延伸通过所述半导体层朝向所述埋入导电区域，其中所述垂直导电区域电连接于所述水平定向掺杂区域和所述埋入导电区域；

绝缘层，其覆盖所述水平定向掺杂区域和所述垂直导电区域；和

第一导电电极，其覆盖所述绝缘层和所述水平定向掺杂区域，其中所述垂直导电区域的一部分并非位于所述第一导电电极下方。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于还包括第二导电电极，所述第二导电电极布置在所述垂直导电区域上方、在所述垂直导电区域上方的位置处与所述垂直导电区域分开，并且位于高于所述第一导电电极的高度。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于还包括功率晶体管的源极区域，其中所述源极区域电连接于所述第一导电电极。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于还包括位于所述水平定向掺杂区域下方的降低表面电场区域，其中所述降低表面电场区域具有相比于所述水平定向掺杂区域的相反导电类型，其中所述降低表面电场区域延伸到所述垂直导电区域。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于其中所述水平定向掺杂区域是功率晶体管的漏极区域的部分。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于还包括所述功率晶体管的栅极电极，其中所述栅极电极与所述第一导电电极分开且电隔离。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于还包括布置在所述埋入导电区域与所述半导体层之间的埋入绝缘层，其中所述垂直导电区域延伸通过所述埋入绝缘层。

8.根据权利要求3－7任一项所述的电子装置，其特征在于还包括肖特基二极管，所述肖特基二极管由到所述水平定向掺杂区域的与所述功率晶体管分开的部分的导电插头的接触件形成，其中所述水平定向掺杂区域的所述部分具有相比于所述水平定向掺杂区域的与所述垂直导电区域相邻的不同部分的较低掺杂浓度。

9.一种电子装置，其特征在于包括：

埋入导电区域；

半导体层，其具有主表面和相对表面，其中所述埋入导电区域被布置成比距离所述主表面更接近所述相对表面；

水平定向掺杂区域，其与所述主表面相邻；

位于所述水平定向掺杂区域下方的降低表面电场区域，其中所述降低表面电场区域具有相比于所述水平定向掺杂区域的相反导电类型;

晶体管，其包括

漏极区，其包括所述水平定向掺杂区域的第一部分；

栅电极，其中整个所述栅电极覆盖所述主表面；

源极区，其与所述主表面相邻；

垂直导电区域，其与所述主表面相邻且延伸通过所述半导体层朝向所述埋入导电区域，其中所述垂直导电区域电连接于所述水平定向掺杂区域的第一部分和所述埋入导电区域，并且所述垂直导电区域接触所述降低表面电场区域；以及

肖特基二极管，所述肖特基二极管由到所述水平定向掺杂区域的与所述晶体管分开的第二部分的导电插头的接触件形成，其中所述水平定向掺杂区域的所述第二部分具有相比于所述水平定向掺杂区域的所述第一部分的较低掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于还包括：

绝缘层，其覆盖所述垂直导电区域；

第一导电电极，其覆盖所述绝缘层和所述水平定向掺杂区域；

第二导电电极，所述第二导电电极覆盖所述绝缘层和所述垂直导电区域，其中从截面图看所述第二导电电极和所述垂直导电区域具有彼此对齐的侧；以及

其中所述晶体管的源极区、所述肖特基二极管的导电插头以及所述第一和第二导电电极彼此电连接。