[实用新型]晶体振荡器性能检测仪有效
| 申请号: | 201420049560.1 | 申请日: | 2014-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN203672998U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
| 发明(设计)人: | 吴建堂 | 申请(专利权)人: | 吴建堂 |
| 主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 233000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体振荡器 性能 检测 | ||
技术领域
本实用新型属于电子元器件测试技术领域,是关于一种晶体振荡器性能检测仪。
背景技术
石英晶体振荡器也称之为晶体振荡器,俗称:晶振,它是利用具有压电效应的石英晶体片制成。这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动,当交变电场的频率与晶体振荡器的固有频率相同时,振动便变得很强烈,这就是晶体谐振特性的特性。利用晶体振荡器的这种特性,可用晶体振荡器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于晶体谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,晶体振荡器被广泛地应用在电视机、影碟机、无线通讯设备、电子钟表等电子设备中。
在电器维修过程中,经常遇到红外线遥控器功能失灵的现象。如何判断红外线遥控器中的晶体振荡器性能,用一般万用表很难判断晶体振荡器是否存在故障。本实用新型所述的晶体振荡器性能检测仪利用普通电子元件制作一个可以测量频率为220KHz~95MHz晶振振荡器测试装置,它为技术人员在维修时,能够方便、准确地测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏,晶体振荡器性能好坏一目了然,为快速地修复电子设备提供了方便。
以下详细说明本实用新型所述的晶体振荡器性能检测仪在实施过程中所涉及的有关技术内容。
实用新型内容
发明目的及有益效果:在电器维修过程中,经常遇到红外线遥控器的功能失灵的现象。如何判断红外线遥控器中的晶振性能,用一般万用表很难判断晶体振荡器是否存在故障。本实用新型所述的晶体振荡器性能检测仪利用普通电子元件元件制作一个可以测量频率为220KHz~95MHz晶体振荡器测试装置,它为技术人员在维修时,能够方便、准确测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏,晶体振荡器性能好坏一目了然,为迅速地修复电子设备提供了方便。
电路工作原理:晶体振荡器性能检测仪由NPN型晶体管BG1和阻容元件构成多频振荡电路,NPN型晶体管BG1的发射极输出振荡电压经过电容C3、锗二极管D1~D2进行倍压检波后,在电解电容C4的两端得到>0.75V直流电压,驱动NPN型晶体管BG2使发光二极管LED点亮发光;若被测晶体振荡器BC已经损坏,因为多频振荡电路不能正常工作,倍压检波电路将无直流电压输出,所以发光二极管LED不能被点亮。通过观察发光二极管LED是否点亮发光,来判断晶振振荡器是否起振,同时观察比较振荡幅度的大小。
技术方案:晶体振荡器性能检测仪,它包括9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路,其特征在于:
多频振荡电路:它由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BG1、电容C1、电容C2和电阻R2组成,NPN型晶体管BG1的基极接电阻R1的一端、电容C1的一端和被测晶体振荡器BC的一端,电阻R1的另一端和NPN型晶体管BG1的集电极接电路正极VCC,电容C1的另一端和NPN型晶体管BG1的发射极接电容C2的一端和电阻R2的一端,被测晶体振荡器BC的另一端和电容C2的另一端及电阻R2的另一端接电路地GND;
倍压检波及滤波电路:它由电容C3、2只锗二极管D1~D2、电解电容C4和电容C5组成,2只锗二极管D1~D2选用的型号为2AP30E,NPN型晶体管BG1的发射极通过电容C3接锗二极管D1的负极和锗二极管D2的正极,锗二极管D2的负极接电解电容C4的正极和电容C5的一端,锗二极管D1的正极和电解电容C4的负极及电容C5的另一端接电路地GND;
直流放大及测试结果显示电路:它由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成,NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极,NPN型晶体管BG2的集电极接发光二极管LED的负极,发光二极管LED的正极接电路正极VCC,NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND;
9V直流电源的正极与电路正极VCC相连,9V直流电源的负极与电路地GND相连。
附图说明
附图1是本实用新型提供一个晶体振荡器性能检测仪的实施例电路工作原理图。
具体实施方式
按照附图1所示的晶体振荡器性能检测仪电路工作原理图和附图说明,并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本实用新型,以下结合实施例对本实用新型的相关技术作进一步的描述。
元器件的技术参数及选择要求
BG1、BG2为NPN型晶体管,选用的型号为2SC9018,要求β≥160;
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